来自印度的深科技初创公司Reflex Drive选择英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的半导体功率器件，用于其下一代无人机（UAV）电机控制解决方案。通过集成英飞凌OptiMOS™ 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的电子调速器（ESC）实现了更好的热管理和更高的效率，从而在紧凑的设计中实现了高功率密度。此外，通过采用将XMC1404微控制器与MOTIXTM 6EDL7141 三相栅极驱动器IC结合的英飞凌MOTIX™ IMD7
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其他栅极驱动器转换器考虑因素栅极驱动器 DC-DC 转换器还有其他独特的问题。其中包括：1） 调节：当器件不切换时，DC-DC 转换器上的负载接近于零。然而，大多数传统转换器始终要求最小负载;否则，它们的输出电压会急剧增加，可能达到栅极击穿水平。发生的情况是，这个高电压存储在大容量电容器上，因此当器件开始切换时，它可能会出现栅极过压，直到转换器电平下降到正常负载下。因此，应使用具有箝位输出电压或极低最小负载要求的 DC-DC 转换器。2） 启动和关断：重要的是，在驱动电路电压轨达到指定值之前，I
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栅极驱动器 功率器件
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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有效的 MOSFET/IGBT 器件开关取决于栅极驱动器及其电源。从电源和电机驱动器到充电站和无数其他应用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） MOSFET等开关功率半导体以及绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 是高效电源系统设计的关键。但是，为了实现功率器件的最大性能，需要合适的栅极驱动器。顾名思义，该元件的作用是驱动功率器件栅极，快速、清晰地将其置于导通模式或将其拉出导通模式。这样做要求驱动器能够拉出或吸收足够的电流，尽管负载（栅极）存在内部器件和杂散（寄生）电容、电感和其他
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栅极驱动器 功率器件
_____随着技术的不断进步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而，这些器件在长期连续使用后会出现老化现象，导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些器件的老化特性，成为行业关注的焦点。目前，针对功率器件的老化测试主要包括多种不同的测试方式。其中，JEDEC制定的老化测试标准（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循环测试）主要针对传统的硅基功率器件。对于新型的SiC等功率器件，AQG-324标准进一步要求增加动态老化测试，如动态栅偏和动态反偏测试。
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ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
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1、电感本质我们通常所说的电感指的是电感器件，它是用绝缘导线(例如漆包线,沙包线等)绕制而成的电磁感应元件。在电路中，当电流流过导体时，会产生电磁场，电磁场的大小除以电流的大小就是电感。电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。1.2 电感分类按电感形式 分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈
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电感 功率器件
在DC-DC转换器中，电感器是仅次于IC的核心元件。通过选择恰当的电感器，能够获得较高的转换效率。在选择电感器时所使用的主要参数有电感值、额定电流、交流电阻、直流电阻等，在这些参数中还包括功率电感器特有的概念。例如，功率电感器的额定电流有两种，它们之间的差异是什么呢？为了回答这样的疑问，我们在这里对功率电感器的额定电流进行说明。存在两种额定电流的原因功率电感器的额定电流有"基于自我温度上升的额定电流"和"基于电感值的变化率的额定电流"两种决定方法，分别具有重要的意义
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电感 功率器件
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗，损失的能量会转化为热能，表现为半导体器件发热，器件的发热会造成器件各点温度的升高。半导体器件的温度升高，取决于产生热量多少（损耗）和散热效率（散热通路的热阻）。IGBT模块的风冷散热
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英飞凌 功率器件 热设计 热阻
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。第一讲 《功率器件热设计基础（一）----功率半导体的热阻》 ，已经把热阻和电阻联系起来了，那自然会想到热阻也可以通过串联和并联概念来做数值计算。热阻的串联首先，我们来看热阻的串联。当两个或多个导热层依次排列，热量依次通过
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英飞凌 功率器件 热设计 串联 并联
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻，这些热阻是串联的，总热阻等于各热阻之和，这是因为热量在传递过程中，需要依次克服每一个热阻，所以总热阻就是
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英飞凌 功率器件 热设计 散热器
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上设计一般可以取加权平均值或给出设计余量。这是一个MOSFET单管中的芯片，直观可以看出芯片表面温度是不一致的，光标1的位置与光标2位置温度
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英飞凌 功率器件 热设计 温度测试
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容 C th 像热阻 R th 一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储存能力物理量，平板电容器电容和热容的对照关系如图所示。平板电容器电容和热容
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英飞凌 功率器件 热设计 功率半导体热容
前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。有了热阻热容的概念，自然就会想到在导热材料串并联时，就可以用阻容网络来描述。一个带铜基板的模块有7层材料构成，各层都有一定的热阻和热容，哪怕是散热器，其本身也有热阻和热容。整个散热通路还包括导热脂、散热器和环境。不同时间尺度下
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英飞凌 功率器件 热设计 热等效模型
/ 前言 /功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。任何导热材料都有热阻，而且热阻与材料面积成反比，与厚度成正比。按道理说，铜基板也会有额外的热阻，那为什么实际情况是有铜基板的模块散热更好呢？这是因为热的横向扩散带来的好处。热横向扩散除了热阻热容，另一个影响半导体散热的重要物理效应为热的横向传
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