面向工业设备的电源产品的使用条件比较苛刻，有的应用需要24小时365天无间断运转,所以设计与研发电源产品时，对功率器件要求很高，必须要两个方面的技术性的考虑：一是损耗特性，由于无间断运转的需求，如何减少器件所产生的损耗对工厂电费有直接影响。
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瑞萨，功率器件
3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有里程碑意义，将对中国乃至全球第三代半导体产业发展产生深远影响。 科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会主任、深圳第三代半导体研究院理事长曹健林，广东省委常委、深圳市委书记王伟中，深圳市委副书记、市长陈如桂，科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会副主任、深圳第三代半
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青铜剑科技 半导体 碳化硅 功率器件
MSP430程序升级方案- 对MSP430系列单片机进行编程的方式有以下3种：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用户自定义的升级固件。由于利用自定义升级固件进行程序升级的方式比较灵活，且用途广泛，因此本文将对其作重点介绍。
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MSP430 单片机 功率器件
变频器逆变模块损坏的起因及处理方法- 变频器逆变模块损坏多半是由于驱动电路损坏致使1个桥臂上的2个开关器件同一时间导通所造成的。变频器逆变功率模块损坏是不管在矢量变频器还是节能变频器等其他变频设备上常见到的故障，解决这种问题只有查到损坏的根本原因，并首先消除再次损坏的可能，才能更换逆变模块，否则换上去的新模块会再损坏。
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变频器 逆变器 功率器件
常用的功率半导体器件盘点汇总-电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。
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功率器件
开关电源技术发展历程的十个关注点- 上世纪60年代，开关电源的问世，使其逐步取代了线性稳压电源和SCR相控电源。40多年来，开关电源技术有了飞迅发展和变化，经历了功率半导体器件、高频化和软开关技术、开关电源系统的集成技术三个发展阶段。
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开关电源 功率器件 电磁兼容性
全球性需求增加也带动市场增长，但是功率分立器件交货期开始延长暂时还没有什么解决办法。
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功率器件
三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展览馆举行的PCIM 亚洲 2017展会中隆重登场(三菱电机展位号:E06)，所展出的十款新型功率器件大受观众欢迎，不断吸引观众前来参观了解三菱电机最新的技术、产品和优势。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品，其中第7代IGBT模块更首次作
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三菱电机 功率器件
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司近日宣布推出最新产品“TPD4207F”，扩大其小型封装高压智能功率器件(IPD)产品阵容，该产品适用于空调、空气净化器的风扇电机和泵等各类产品。新IPD采用小型“SOP30”表面贴装型封装，实现更大的额定电流(5A)和600V的高电压。量产出货即日启动。 该新IPD利用东芝最新MOSFET技术——600V超结MOSFET“DTMOSIV系列”，有效减小功率损耗，实现5A额定电流。这一电流足以驱动冰箱的压缩机电机，这是现有IPD无法做到的，因此新IPD的应用范
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东芝 功率器件
IGBT驱动电路的作用： IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效电路及符合如图1所示,IGBT由栅极正负电压来控制。当加上正栅极电压时,管子导通;当加上负栅极电压时,管子关断。
IGBT具有和双极型电力晶体管类似的伏安特性,随着控制电压UGE的增加,特性曲线上移。开关电源中的IGBT通过UGE电平
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IGBT 功率器件
功率集成电路器件的产地正发生着重大改变。过去10年来，中国、欧洲和东南亚地区的功率器件制造业取得迅猛发展，而北美地区则逐渐走下坡路。
在市场机遇方面，随着电池供电与互联消费产品及电动车的涌现，功率器件需求预计将更加强劲。如下方图片所示，中国的智能手机需求增长与功率集成电路消费趋势相符。未来，中国有望成为半导体器件包括功率器件主要的设计与制造来源。
目前，中国的功率器件制造产业尚处于早期阶段。在初始阶段，中国制造的主要是简单的二极管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加复杂精细的功率器
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功率器件 集成电路
本文介绍了中国功率器件制造业未来发展所拥有的环境优势以及政策优势，分析了中国功率器件未来发展的广阔前景。
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功率器件 产能 政策 201705
新型功率器件、封装或材料都是为了提高电源能效和功率密度。安森美半导体非常注重新技术的开发与新材料器件的应用，能同时提供氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC) 宽带隙(WBG)器件，目前SiC二极管已经量产并且广泛应用于工业、太阳能逆变器等领域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在开发中，不久就会发布。
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安森美 光伏 功率器件 光伏逆变器
全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”，连同其附属公司，统称“集团”，股份代号：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆。其中，得益于市场对超级结MOSFET(“金氧半场效晶体管”)和IGBT(“绝缘栅双极型晶体管”)的强劲需求，华虹半导体独特且具竞争力的垂直沟槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及场截止型IGBT累计出货量分别超过了200,000片和30,000片晶圆，并保持
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华虹半导体 功率器件
功率器件介绍
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