无论是在太空还是在地面，这些基于 GaN 的晶体管都比硅具有新的优势。
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GaN 晶体管
如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。如今，越来越多的设计人员在各种应用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 电源。氮化镓很重要，因为它有助于提高功率晶体管的效率，从而减小电源的尺寸并降低工作温度。晶体管，无论是由硅还是氮化镓制成，都不是理想的器件，有两个主要因素导致其效率下降（在简化模型中）：一个是串联电阻，称为 RDS（ON），另一个是并联电容器称为 C
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氮化镓 晶体管
1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，晶体管如今会成为电子产品的最重要组成部分。晶体管被誉为20世纪最伟大的发明之一，它改进了真空管在功耗和尺寸方面的缺陷，为电子设备的发展奠定了基础，也为人们带来了便捷高效的数字化生活。1947年，当John Bardeen、Walter Brattain和William Shockley成功制造出了世界上第一个能正常工作的晶体管时，他们未曾想到，
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新思科技 晶体管
如果您施加一个足够高的电压 V IN以正向偏置基极-发射极结，电流将从输入端流过 R B，通过 BE 结，到达地。我们称之为 I B。电流还将从 5 V 电源流经 R C，流经晶体管的集电极到发射极部分，流到地。称之为I C。假设 I C足够小以在集电极端留下相对较高的电压——足够高的电压，即保持基极-集电极结反向偏置。假设我们正在使用一个简单的电路，该电路由一个 npn双极结型晶体管(BJT) 和几个电阻器组成，连接方式如下：如果您施
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晶体管
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先进技术，引入氧化物填充沟槽工艺，集极低的导通损耗和低栅极电荷于一身，实现高效的开关性能。因此，STL120N10F8的最大导通电阻 RDS(on)为 4.6mΩ（在 VGS = 10V 时），高效运行频率达到6
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意法半导体 STripFET F8 晶体管 优值系数
MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
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MOS 晶体管
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。
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晶体管
本系列连载将介绍电力电子相关的基础知识和各种小知识。本系列涉及到的内容很广泛，涵盖从基础知识到应用部分的丰富内容，希望能够帮到那些“至今不好意思问别人，但又拿不准自己是否已经理解了”的人。第一个应该了解的要数“晶体管”了。“晶体管”在电子制作领域是非常常用的易用器件，尤其是在使用Arduino等微控制器控制LED和电机时，晶体管是不可或缺的重要器件。但是，对于电子制作初学者来说，掌握晶体管的使用方法有点难。刚开始电子制作时使用的元器件，比如电池、LED、电阻器和开关等，几乎都是两个引脚，而晶体管却有三个引
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ROHM 晶体管
模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路集（夜班尿布和设计）第 7 页的电路之一。模拟 EE 世界失去了一颗明星。Jim 的数百篇文章、书籍和应用笔记是（并将继续是）信息、灵感和看到大师轻松解决棘手设计难题的喜悦的无底泉源，所有这些都包含在令人愉快的写作风格中。这里介绍的设计思想源自他发表在 AN45测量和控制电路
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晶体管 VBE 振荡器
IT之家 12 月 11 日消息，众所周知，传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构，从而获得高性能计算能力，但这种晶体管密度的提高主要是靠缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如，大家最常见的案例就是半导体行业的高精度尺寸微缩，从 14>10nm>7nm>5nm（不代表实际栅距）这样一直按照 0.7 的倍率不断迭代。据复旦大学微电子学院官方公告，该学院教授周鹏、研究员包文中及信息科学与工程学院研究员万景团队绕过 EUV 工艺，研发出性能优异的异质 CFET 技术
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复旦大学 晶体管
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有
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放大器 晶体管 MOS BJT
你知道吗？世界上第一个半导体晶体管并不是用硅材料做的，而是用一种叫作“锗”的稀有元素做的。在上世纪三四十年代初，使用半导体制作固态放大器的想法被陆续提出，第一个实验结果是由波欧与赫希完成的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，虽然它的操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。 二战后，贝尔实验室提出想要做出固态放大器的目标，经过几位科学家的实验和改进，最终由巴丁和布莱登用涂蜡钨丝和硅制成第一个点接触电晶体，继而制作出第一个语音放大器。在这之后，萧克莱设想是否能使用
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半导体 晶体管 历史 博物馆
晶体管、MOS管、IGBT管是常见的电力电子控制器件。电流触发晶体管只能控制开启，不能控制关闭属于半可控件;电压触发MOS管、IGBT管既可以控制开启，也可以控制关断属于全可控件。搞懂控件的特点对电力电子器件维修尤为重要，小编根据所学及理解做如下总结，希望能给大家一些帮助。一、晶闸管 1、别名：可控硅是一种大功率半导体器件，常用做交流开关，触发电流>50毫安 2、特点：体积小、重量轻、无噪声、寿命长、容量大、耐高压、耐大电流、大功率 3、主要应用领域：整流、逆变、变频、斩波（直流-
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IGBT 晶体管 MOS管
上月，三星代工（Samsung Foundry）部门悄然宣布，其定于 2022 年 2 季度开始使用 3GAE 技术工艺来生产芯片。作为业内首个采用 GAA 晶体管的 3nm 制程工艺，可知这一术语特指“3nm”、“环栅晶体管”、以及“早期”。不过想要高效地制造 GAA 晶体管，晶圆厂还必须装备全新的生产工具。 而来自应用材料（Applied Materials）公司的下一代工具，就将为包括三星在内的晶圆厂提供 GAA 芯片的制造支持。（来自：Applied Materials 官网 ，via
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3nm 晶体管
晶体管介绍
【简介】
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个P [
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