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高压MOS/低压MOS在单相离线式不间断电源上的应用

  • 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正常。UPS只有在市电停电了才会介入供电，不过从直流电转换的交流电是方波，只限于供电给电容型负载，如电脑和监视器等。一、前言 单相离线式不间断电源只是备援性质的UPS，市电直接供电给用电设备再为电池充电，一旦市电供电品质不稳或停电时，市电的回路会自动切断，电池的直流电会被转换成交流电接手供电的任务，直到市电恢复正
  • 关键字： MOS  

耗尽型功率MOSFET：被忽略的MOS产品

  • 功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零
  • 关键字： MOSFET  MOS  

如何在电源上选择MOS管

  • 在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。在开关电源应用MOS管的时候，在很多电源设计人员的都将采用一套公式，质量因数(栅极电荷QG ×导通阻抗RDS(ON))。来对mos管来验证。那么栅极电荷和导通阻抗很重要，这都是对电源的效率有直接的影响，主要是传导损耗和开关损耗。还有在电源中第二重要的是MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。用于针对N+1冗余拓扑的并行电源控制的MOS管在ORing F
  • 关键字： MOS  

功率放大器电路中的三极管和MOS管，究竟有什么区别？

  • 学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？学习模拟电子技术基础，和电子技术相关领域的朋友，在学习构建功率放大器电路时最常见的电子元器件就是三极管和场效应管（MOS管）了。那么三极管和MOS管有哪些联系和区别呢？在构建功率放大器电路时我们要怎么选择呢？首先我们明确一下二者的概念三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控
  • 关键字： 功率放大器  MOS  

短沟道 MOS 晶体管中的漏电流成分

  • MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。MOS 晶体管正在按比例缩小，以限度地提高集成电路内的封装密度。这导致氧化物厚度的减少，进而降低了 MOS 器件的阈值电压。在较低的阈值电压下，漏电流变得很大并有助于功耗。这就是为什么了解 MOS 晶体管中各种类型的漏电流至关重要。在我们尝试了解各种漏电流成
  • 关键字： MOS  晶体管  

功率MOS管损坏的典型

  • 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引
  • 关键字： MOS  

巧用MOS管的体二极管

  • 用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状态的。用过MOS管的小伙伴都知道，其内部有一个寄生二极管，有的也叫做体二极管。1、PMOS管做开关用，S极作电源输入，D极作输出，当Vsg大于阈值电压，MOS管导通，一般MOS管的导通内阻都很小，毫欧级别，过几安培的电流，压降也才毫伏级别，此时体二极管是截至状
  • 关键字： MOS  二极管  

世平基于安森美半导体 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 应用于小型化工业电源供应器方案

  • 安森美GAN_Fet驱动方案(NCP51820)。 数十年来，硅来料一直统治著电晶体世界。但这个状况在发现了砷化镓（GaAs）和砷化镓、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已经逐渐开始改变。由开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体，它们具有独特的优势和优越的特性。但问题在于化合物半导体更难制造且更昂贵。虽然它们比硅具有明显的优势。作为解决方案出现的两个化合物半导体器件是氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率电晶体。这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器
  • 关键字： NCP51820  安森美  半导体  电源供应器  GaN MOS Driver  

放大器设计：晶体管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶体管的区别

  • 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有
  • 关键字： 放大器  晶体管  MOS  BJT  

RS瑞森半导体高压MOS在开关电源中的应用

  • 开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。开关电源（Switch Mode Power Supply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是电源供应器的一种高频化电能转换装置，也是一种以半导体功率器件为开关管，控制其关断开启时间比率，来保证稳定输出直流电压的电源。在目前电子产品的飞速增长中，开关电源凭借其70%~
  • 关键字： 瑞森半导体  MOS  开关电源  

TP4054 TP4056 TP4057专业电源管理IC MOS

  • 极限TP4057充电模块TP4057是一款单节锂电池专用的恒流/恒压线性充电IC,其内部带有电池反接保护及防倒充电路。该充电IC的工作电压范围为4～6V,静态工作电流仅有40μA模块尺寸8x10mm。集成锂电保护和指示灯。可作为SMT贴片模块使用贴装在其他主板上
  • 关键字： 充电IC  TP4054  TP4056  TP4057  电源管理IC  MOS  

基于英飞凌数位半桥返驰式(XDPS2201)+赛普拉斯通讯协议(CYPD3174) 之 65W PD充电器方案

  • 随著USB PD产品的广泛应用与普及化，Infineon推出全新数位共振返驰式PWM电源控制芯片，此一架构除较现行客户常使用之ACF架构更具竞争力，在电路设计上相对容易，还可减少元件数量，且数位化的设计界面可满足不同输出瓦数的产品应用，提高在设计上的灵活度与可靠性。同时搭配Cypress PD控制芯片，借由数位控制与参数设定功能来改变输出电压，藉以符合各种不同产品的应用。同时Infineon共振返驰式电源芯片在与Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率与功率密度的表现，更可以减少客户的产品设计与开发
  • 关键字： Infineon  Mos  Charger  AdapterXDPS2201  CYPD3174  

MOS管的Miller 效应

  • 本文对于 MOS 管工作在开关状态下的 Miller 效应的原因与现象进行了分析。巧妙的应用 Miller 效应可以实现电源的缓启动。01 Miller效应一、简介MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。下面波形是在博文  ZVS振荡电路工作原理分析[1]  中观察到振荡 MOS 管栅极电压与漏极电压波形。可以看到栅极电压在上升阶段具有一个平坦的小台阶。这就是弥勒效应所带来的 MOS 管驱动电压波
  • 关键字： MOS  Miller  

场效应管常用的三大作用：放大作用、恒流输出、开关导通

  • 1、放大电路场效应管具有输入阻抗高、低噪声等特点，因此经常作为多级放大电流的输入级，与三极管一样，根据输入、输出回路公共端选择不同，将场效应管放电电路分为共源、公漏、共栅三种状态，如下图是场效应管共源放大电路，其中：Rg是栅极电阻，将Rs压降加至栅极；Rd是漏极电阻，将漏极电流转换成漏极电压，并影响放大倍数Au；Rs是源极电阻，为栅极提供偏压；C3是旁路电容，消除Rs对交流信号的衰减。2、电流源电路恒流源在计量测试应用很广泛，如下图是主要是由场效应管组成的恒流源电路，这是可作为磁电式仪表调标尺工序。由于场
  • 关键字： MOSFET  MOS  场效应管  

开关电源MOS管有哪些损耗，如何减少MOS管损耗

  • 一、什么是开关电源开关模式电源（SwitchModePowerSupply，简称SMPS），又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。二、开关损耗开关损耗包括导通损耗和截止损耗。1、导通损耗指功率管从截止到导通时,所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止
  • 关键字： 开关电源  MOS  MOSFET  
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mos介绍

MOS 金属氧化物半导体 MOS metal-oxide semiconductor 以衬底材料氧化物为绝缘层的金属-绝缘层-半导体结构。对于硅衬底来说，绝缘层是二氧化硅(SiO2)。场效应晶体管、电容器、电阻器和其他半导体设备都是用这种结构制造。MOS工艺包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看详细 ]

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