近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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3D DRAM 存储器
存储模组大厂威刚认为，以供给面而言，DRAM供给相对单纯且市场库存水位较低，看好DRAM价格回温时间可望早于NAND
Flash。目前消费性需求尚未全面复苏，第一季DRAM与NAND
Flash合约价仍有小幅下跌压力，但存储器中下游业者库存调整已历经近一年时间，并也降至相对健康水位，因此只要存储器价格明确落底，市场备货需求将可望快速启动，加速产业供需平衡。威刚预估，第一季营收走势可望逐月走升，第二季优于第一季，下半年可望明显回升，宇瞻则认为，DRAM上半年仍会处于供过于求，但在原厂减产、减少资本支
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存储模组 威刚 宇瞻 DRAM
据外媒《BusinessKorea》报道，三星电子的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室负责人Lee Jong-myung于3月10日在韩国首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将成为一种必然，而不是一种方向。与现有
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存储 3D DRAM
本文将解析使 3D NAND、高级 DRAM 和 5nm SoC 成为可能的架构、工具和材料。要提高高级 SoC 和封装（用于移动应用程序、数据中心和人工智能）的性能，就需要对架构、材料和核心制造流程进行复杂且代价高昂的更改。正在考虑的选项包括新的计算架构、不同的材料，包括更薄的势垒层和热预算更高的材料，以及更高纵横比的蚀刻和更快的外延层生长。挑战在于如何以不偏离功率、性能和面积/成本 (PPAC) 曲线太远的方式组合这些。当今的顶级智能手机使用集成多种低功耗、高性能功能的移动 SoC 平台，包括一个或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨询今日发布报告称，2023 年的 Server DRAM 位元产出比重约 37.6%，将正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%。▲ 图源：TrendForce 集邦咨询报告指出，自 2022 年起 DRAM 原厂持续将原先配置给 Mobile DRAM 的产能移转至前景相对强劲稳健的 Server DRAM，试图减轻 Mobile DRAM 端供需失衡的压力。2023 年由于智能手机出货增长率与平均搭载容量成长率仍保守，原厂的
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DRAM 市场
IT之家 2 月 10 日消息，据威刚官方消息，威刚 1 月合并营收仅月减 7.57% 为 21.77 亿元新台币。威刚表示，公司短期内仍将维持弹性且谨慎的库存策略，并随时掌握产业变化，预期内存产业供应链库存有望在今年上半年逐步去化完成，随着下半年消费性需求回笼，以及各项产品单机内存搭载容量快速成长，内存产业需求有望从第三季起恢复成长动能。威刚董事长陈立白进一步指出，目前公司对内存景气展望不变，预期本季内存价格仍处短期修正波段，但受惠于上游供应商获利不再且投片态度转趋保守，DRAM 与 NAND
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威刚 DRAM
心部署CXL附加内存先进的专用连接解决方案公司Astera Labs（Astera Labs）近日宣布，扩展其云规模互操作实验室(Cloud-Scale Interop Lab)，支持Leo内存连接平台(Leo Memory Connectivity Platform)与不断成长的生态系统之间实现强大的互操作性测试，该生态系统包括领先CXL为基础的CPU、内存模块和操作系统。Astera Labs首席产品官Casey Morrison表示：“Compute Express Link™（CXL™）
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Astera Labs 云规模互操作实验室 CXL
2023 年 2 月 7 日消息，据 DT 报道称主要存储厂商包括美光、SK海力士、三星等存储大厂们的芯片库存仍在不断膨胀挤压中，库存压力巨大。不断增长的库存压力也让供销商对终端出货的预期保持谨慎，甚至预测到 2023 年第四季度才能回暖。价格方面，目前 DRAM 内存芯片价格预计一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 闪存价格预计一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手储存卡、固态硬盘 SSD 的用户，近期好价可以选择入手！
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DRAM 市场
IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨询最新报告指出，全球经济持续疲软，促使北美四大云服务供应商下修 2023 年服务器采购量，且数字可能持续下修，下修幅度由多到少依次为 Meta、Microsoft（微软）、Google（谷歌）、AWS（亚马逊云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨询预计，四家厂商服务器采购量由原先预估的同比增长 6.9%，降至 4.4%，此将影响 2023 年全球服务器整机出货年增率下降到 1.87%，进一步加剧 Server DRAM 供
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DRAM 市场
IT之家 12 月 26 日消息，韩国《首尔经济日报》表示，尽管明年全球经济将放缓，三星电子仍计划明年在其最大半导体工厂增加芯片产能。据称，三星 2023 年存储器和系统半导体的晶圆产能提高约 10%。业内消息人士称，三星电子将在位于韩国平泽的 P3 工厂增加 DRAM 设备，12 英寸晶圆月产能可达 7 万片，明年将把 P3 代工晶圆产能提高 3 万片（共 10 万），高于目前 P3 厂 DRAM 产线的每月 2 万片产能。三星电子计划利用新的设备生产 12 纳米级 DRAM。截至今
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三星 晶圆代工 DRAM
三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起完成了兼容性方面的产品评估。三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM三星电子高级副总裁兼DRAM产品与技术负责人Jooyoung Lee表示："三星12nm级DRAM将成为推动整个市场广泛采用DDR5
DRAM的关键因素。凭借卓越的性能和能效，我们希望新款DRAM能够成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。"AMD高级副总裁、企业院士兼客户、计算
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三星电子 12纳米 DDR5 DRAM
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官网宣布，成功开发出 DDR5 多路合并阵列双列直插内存模组样品，这是目前业界最快的服务器 DRAM 产品。该产品的最低数据传输速率也高达 8Gbps，较之目前 DDR5 产品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方称，该 MCR DIMM 产品采用了全新的方法来以提高 DDR5 的传输速度。虽然普遍认为 DDR5 的运行速度取决于单个 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程师在开发该产品时另辟蹊径，提高了模块的速度而非单个 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
12月5日，DRAM大厂南亚科发布公告11月自结合并营收为新台币27.71亿元，较上月减少0.40%，较去年同期减少61.81%。累计合并营收为新台币545.52亿元，较去年同期减少30.65%。据TrendForce集邦咨询11月16日研究显示，南亚科（Nanya）因consumer
DRAM产品比重高，第三季营收衰退达40.8%，衰退幅度为第三季前六大业者最甚。南亚科已于第四季小幅减少投片，但转进1Anm的进度仍旧持续，预期2023上半年推出样本，然客户端因需求展望保守，导入意愿可能并不积极，预计
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DRAM 南亚科
很显然内存市场的需求依然很淡，不少消费者依然没有出手，当然还是觉得厂商能继续降价。调研机构TrendForce现发布了最新的研究报告，表明目前DRAM现货报价仍在保持下跌的趋势，主要买家对未来皆抱持跌价心态，整体市况仍因大环境因素影响价格难以止跌。具体来说：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交价在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE报价下调至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即将到货而降至 2.00~2.03 美元。
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内存 DRAM，三星 SK海力士
作为韩国的重要支柱，芯片出口的多少，直接关系着几大财团的营收，比如三星、SK海力士等等。据国外媒体报道，消费电子产品需求下滑，导致对芯片的需求下滑，尤其是存储芯片，需求与价格双双下滑。韩国关税厅最新公布的数据显示，在11月份的前20天，韩国芯片出口52.8亿美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韩国重要的出口产品还有智能手机等移动设备，但这一类产品的出口额在前 20 天的出口额，也同比下滑20.6%，降至13.6亿美元。比较有标志性的一个现象是，全球智能手机老大已经在不停的砍单了，至少在3000万部，这也
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三星 SK海力士 DRAM NAND
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