- 前言1946年2月15日，第一台电子数字计算机 ENIAC问世，这标志着计算机时代的到来。ENIAC 是电子管计算机，时钟频率虽然仅有 100 kHz，但能在1s 的时间内完成 5000 次加法运算。与现代的计算机相比，ENIAC有许多不足，但它的问世开创了计算机科学技术的新纪元，对人类的生产和生活方式产生了巨大的影响。在研制 ENIAC 的过程中，匈牙利籍数学家冯·诺依曼担任研制小组的顾问，并在方案的设计上做出了重要的贡献。1946年6月，冯·诺依曼又提
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单片机 计算机 存储器 微处理器 仿真器
- 在写字楼、工厂车间和汽车中，软件正逐步取代机械部件和固定电路。例如，使用智能锁取代机械锁后，用户可以通过手机应用程序对智能锁进行控制，同时制造商可通过软件更新、改进或校正智能锁的功能。在这种趋势下，人们对存储器的要求不断提高，这一挑战不容忽视。在常嵌入闪存存储器的微控制器 (MCU) 中，存储器的容量也在快速增加。除了宏观趋势外，MCU 中的一些特定发展趋势（包括更高的计算带宽、功能集成以及包含额外的大型通信栈）也决定了需要更大容量的闪存。当出现无线更新的需求时，由于原始图像和备份图像都需要存储，上述的这
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OptiFlash 存储器 闪存 软件定义系统
- 今年以来，ChatGPT持续推动生成式AI需求上涨，加上PC与服务器领域平台不断推陈出新，HBM与DDR5等高附加值DRAM芯片备受市场青睐，存储器大厂不约而同积极布局上述产品。DDR5：美光发布新品、三星计划扩大产线当前DDR5制程已经来到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达 7200
MT/s，现已面向数据中心及 PC 市场的所有客户出货。此外，该款DDR5内存采用先进的High-K
CMOS器件工艺、四相时钟和时钟同步技术，相比上一代产品，性能提升高
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存储器 DDR5 HBM
- 半导体行业的不断发展是由一个基本原则驱动的：存储器。内存技术是数字时代背后的无名英雄，支撑着从智能手机的数据存储到超级计算机的效率的一切。随着对更快、更可靠、更节能的存储器的需求激增，新一波新兴的非易失性存储器技术有望重塑半导体工厂并增强我们的数字体验。半导体存储器的现状要了解新兴存储技术的重要性，了解其前辈至关重要。传统的半导体存储器分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器，如动态随机存取存储器 (DRAM)，可提供快速数据访问，但需要持续供电才能保留信息。非易失性存储器，例如 NAND 闪存，可以在没
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存储器
- 三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接续举行法说，释出对存储器产业看法，两大厂商均表示，PC、手机终端库存去化已告一段落、传统服务器需求依然疲弱，而AI服务器需求则较为强劲。业界人士认为，存储器原厂减产以求获利的决心不容小觑，在获利数字翻正前，应会持续减产策略，预期2024年上半年内存报价向上趋势不变。台系存储器相关厂商包括南亚科、华邦电、群联、威刚、创见、十铨、宇瞻等有望受惠。时序进入第四季，三星认为，市场复苏将加速，在旺季带动之下，市场DRAM、NAND Flash位出货量，可望分别
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存储器 三星 海力士
- 近日，第11届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会在深圳隆重开启。兆易创新存储器事业部产品市场经理张静受邀出席，以“持续开拓，兆易新一代存储产品助力行业创新”为题，分享了兆易创新在嵌入式存储器领域的广泛布局，以及面向产业技术变革浪潮的创新思考，共同探讨“半导体产业波动周期”下的存储器市场发展趋势。GD Flash的开拓之路：十四载达成212亿颗出货成就众所周知，Flash是一种非易失性的存储器，在断电和掉电的情况下，存储的内容不会发生丢失，是绝大多数电子系统必备的元器件。作为一家以存
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兆易创新 存储器
- 人工智能浪潮之下，HBM从幕后走向台前，市场需求持续看涨。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预测，2023年HBM需求量将年增58%，2024年有望再成长约30%。与传统DRAM相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而备受青睐，存储大厂也在积极推动HBM技术迭代。存储大厂持续发力，三星将推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术已经更新迭代出多款产品，分别有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存储器 HBM4
- 2023年已过去一大半，存储产业虽仍处于待复苏阶段，但历经原厂陆续减产后，业界期盼的暖风或许正在到来。从多家厂商最新营收来看，整体营收仍是下降趋势，但各厂商营收出现了环比增长的迹象，预示着需求正在慢慢升温。群联电子：9月营收月增25%存储器控制芯片商群联电子公布，其9月营收为50.04亿元新台币，月增25.38%，年增4.05%，重返50亿元新台币大关，创14个月新高。根据数据，群联电子第三季营收为123.88 亿元新台币，较第二季成长近24%，年减15%；2023年前三季累计营收324.74 亿元新台币
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存储器 控制芯片 TrendForce
- 半导体存储器销售最差时期已过，价格已止跌。
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存储器
- 每年有数百亿个RAIN RFID标签穿梭于价值链，识别跟踪各类物品。在大多数情况下，只需少量的存储空间便可以存储产品和标签ID，从而区分各个物品，并报告物品在系统中的位置和/或状态。那么，为什么某些RAIN RFID标签提供额外的存储空间呢？因为在某些情况下，特别是在供应链和工业物联网中（IoT），即使一点点额外的存储空间也会带来很大的影响。除了产品和标签ID外，扩展存储器标签可以存储其他信息，有助于提升效率、提高自动化水平并降低运营成本。 什么是扩展存储器标签？提供扩展存储器的RAIN RFI
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- 存储密度跃升 10 到 100 倍？
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- 今日，三星电子宣布，已开始量产为车载信息娱乐系统（IVI）优化的全新车载UFS 3.1存储器解决方案。该解决方案拥有三星车载存储器最低的功耗，可助力汽车制造商为消费者打造优秀的出行体验。为满足客户的不同需求，三星的UFS
3.1（通用闪存）将推出128、256和512千兆字节（GB）三种容量。在未来的汽车（电动汽车或自动驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低了约33%，还提供了每秒700兆字节(MB/s)的顺序写入速度和2000MB/
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三星 车载UFS 3.1 存储器
- 4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC
NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、
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- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
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存储器 DRAM NAND Flash
- 近日，外媒《BusinessKorea》报道称，三星的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示正在加速3D DRAM商业化，并认为3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法，据称这将改变存储器行业的游戏规则。3D DRAM是什么？它将如何颠覆DRAM原有结构？壹摩尔定律放缓，DRAM工艺将重构1966年的秋天，跨国公司IBM研究中心的Robert H. Dennard发明了动态随机存取存储器（DRAM），而在不久的将来，这份伟大的成就为半导体行业缔造了一个影响巨大且市场规模超千亿美元的产业帝国。DRA
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存储器介绍
什么是存储器
存储器（Memory）是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材 [
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