- 受高通货膨胀、消费电子需求疲软等因素影响，存储市场发展“遇冷”，铠侠、美光等原厂陆续于去年第四季度启动减产，2023年三星宣布加入减产行列。不过，由于市场需求持续衰弱，2023年存储市况仍未复苏，价格不断下跌，厂商业绩承压。这一背景下，部分存储厂商期望通过继续减产维稳价格，推动市场供需平衡。近日，台湾地区《工商时报》等媒体报道，DRAM厂商南亚科将跟进大厂减产策略，调整产能、降低稼动率、弹性调整产品组合和资本支出，根据客户需求和市场变化动态调整，以应对市场疲软，预计产能将动态调降20％以内。此前，全球市场
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存储厂商 DRAM TrendForce
- 3D DRAM 的使用在未来或许是可能的。
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DRAM
- 一路暴跌的半导体行业在 8 月终于传来了好消息。TrendForce 集邦咨询研究发布最新数据，第二季 DRAM 产业营收约 114.3 亿美元，环比增长 20.4%，终结连续三个季度的跌势。存储作为行业的风向标，止跌是大家喜闻乐见的。这样的好消息背后，不知道还有多少变数，又何时传递给整个半导体行业呢？经历低谷根据 TrendForce 发布报告，2022 年第三季度 DRAM 行业营收为 181.9 亿美元，环比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供应商库存快速堆积，为抢占第四季度的出货市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，据台湾 《中央通讯社》 报道，台湾美光董事长卢东晖表示，美光有多达 65% 的 DRAM 产品在台湾生产，其中台日团队一起研发新一代的 1-gamma 制程将于 2025 年上半年先在台中厂量产，这是美光第 1 代采用极紫外光（EUV）的制程技术。据悉，美光现在只有在台中有 EUV 的制造工厂，1-gamma 制程势必会先在台中厂量产，日本厂未来也会导入 EUV 设备。卢东晖强调，台湾和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多达 65% 的动态随机存取记忆体（DRAM
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美光 DRAM
- 2023年9月1日，三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是继2023年5月三星开始量产12纳米级16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，这巩固了三星在开发下一代DRAM内存技术领域中的地位，并开启了大容量内存时代的新篇章。 三星12纳米级32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12纳米级32Gb内存的基础上，我们可以研发出实现1TB内存模组的解决方案
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三星 12纳米 DDR5 DRAM
- 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路，目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备，如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩，随着技术在节点间迭代，芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐，向三维发展，以提高单位面积的存储单元数量。（NAND指“NOT AND”，意为进行与非逻辑运算的电路单元。）l 这一趋势有利于整个行业的发展，因为它能推动存储器技术的突破，而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高启全是全球 DRAM 领域最资深的人士之一。
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DRAM
- IT之家 7 月 5 日消息，据多个韩国媒体报道，三星电子昨日突然在非常规人事季更换了代工（DS）部门和 DRAM 部门负责人，被解读为“弥补今年上半年存储半导体表现低迷、强化代工业务的手段”。首先，三星代工事业部技术开发部门副社长郑基泰（Jegae Jeong）被任命为事业部最高技术负责人（CTO），而他的继任者则是 Jahun Koo。与此同时，负责存储半导体中 DRAM 开发的部门负责人也被更换，由原本担任战略营销部门副社长的黄相俊（Hwang Sang-jun）接管，被业界解读为对 HB
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三星 DRAM
- 高带宽互连彻底改变了以数据为中心的计算。
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CXL
- 6月5日，DRAM大厂南亚科公布2023年5月自结合并营收为新台币23.09亿元，月增加2.17%、年减少62.74%，仍创下今年新高水准。累计前5月合并营收为新台币109.94亿元，年减少66.42%。据中国台湾媒体《中时新闻网》引述南亚科总经理提到，DRAM市况预期第三季产品价格可望回稳。南亚科总经理认为，以今年整体状况而言，DRAM需求成长率可能低于长期平均值，但DRAM是电子产品智能化的关键元件，未来各种消费型智能电子产品的推陈出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工厂、智能汽车、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- 5月26日，韩国媒体The Elec引用知情人士消息称，三星电子近日在其半导体研究中心内组建了一个开发团队，以量产4F2结构DRAM。4F2结构DRAM能够大大提高DRAM的存储密度，方便研究团队克服DRAM线宽缩减的极限，增加DRAM制造的效率。报道称，如果三星4F2 DRAM存储单元结构研究成功，在不改变节点的情况下，与现有的6F2 DRAM存储单元结构相比，芯片DIE面积可以减少30%左右。4F2结构是大约10年前DRAM产业未能商业化的单元结构技术，据说工艺难点颇多。不过三星认为，与SK海力士和美
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三星 4F2结构 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星组建了一支专业的团队，负责开发 4F² DRAM 存储单元结构。相比较现有的 6F² 级别，在不改变工艺节点的情况下，芯片面积最高可减少 30%。4F Square 是一种单元结构技术，DRAM 行业早在 10 年前就尝试商业化，但最后以失败告终。三星组建了专业的团队，研发 4F² 结构。IT之家从韩媒报道中获悉，晶体管根据电流流入和流出的方向，形成源极（S）、栅极（G）和漏极（D）整套系统。在漏极（D）上方安装一个
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三星 DRAM
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，今年第一季DRAM产业营收约96.6亿美元，环比下降21.2%，已续跌三个季度。出货量方面仅美光有上升，其余均衰退；平均销售单价三大原厂均下跌。目前因供过于求尚未改善，价格依旧续跌，然而在原厂陆续减产后，DRAM下半年价格跌幅将有望逐季收敛。展望第二季，虽出货量增加，但因价格跌幅仍深，预期营收成长幅度有限。营收方面，三大原厂营收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新机备货订单有限，出货量与平均销售单价（ASP）同步下跌，营收约41.7亿美元，环比下降24.7%。
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DRAM TrendForce
- 当地时间5月22日，英特尔可编程解决方案事业部宣布，符合量产要求的英特尔Agilex®7 R-tile正在批量交付。该设备是首款具备PCIe 5.0和CXL功能的FPGA，同时这款FPGA亦是唯一一款拥有支持上述接口所需的硬化知识产权（IP）的产品。英特尔表示，面对时间、预算和功耗所带来的限制，包括数据中心、电信和金融服务在内的各行业组织都将FPGA视为灵活、可编程的，以及高效的解决方案。使用Agilex
7
R-Tile，客户可以将FPGA与诸如第四代英特尔至强可扩展处理器等进行无缝衔接，并通过
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英特尔 PCIe5.0 CXL FPGA
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