- 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）MOSFET因其低功耗、高临界电场强度和优异的热导率，被广泛应用于新能源汽车、智能电网和轨道交通等高压高频场景。然而，如何在确保击穿电压（BV）的同时优化导通电阻（Ron），一直是行业亟待解决的难题。近日，复旦大学研究团队在这一领域取得重要突破。据复旦大学研究团队透露，他们基于电荷平衡理论，通过对离子注入工艺的深度优化，成功设计并制备出正交结构和平行结构两种布局的1.7kV 4H-SiC电荷平衡辅助SiC MOSFET器件。实验数据显示，这两种新型器件在维持约2.0kV击
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复旦大学 SiC MOSFET器件
- _____MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。图1 功率MOSFET的组件级电容三端功率半导体器件的电容可以在两种不同的量级上看待：组件和电路。在组件上查看电容涉及到表征每个设备终端之间的电容。在电路上观察电容涉及到描述组件级电容的组合。例如，图1说明了一个功率MOSFET的组件级电容
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mosfet器件介绍
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