据报道，随着主要竞争对手台积电和英特尔的目标是在 2025 年下半年实现 2nm 和 18A 的量产，三星也在调整其业务战略。据 ZDNet 称，它现在专注于提高和优化其当前先进节点的良率，尤其是 2nm 和 4nm。值得注意的是，虽然没有给出修改后的时间表，但该报告表明，三星的 1.4nm 生产现在不太可能在 2028 年甚至 2029 年之前开始。据 ZDNet 称，该更新是在 6 月初的三星“SAFE（三星高级代工生态系统）论坛 2025”期间发布的。据报道，在此次活动中，三星透
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据韩媒etnews于6月18日报道，三星电子近期在高性能计算（HPC）和人工智能（AI）领域取得重要突破。其基于4nm工艺制造的SF4X UCIe原型芯片成功完成首次性能评估，传输带宽达到24Gbps。这一成果标志着三星在芯粒互联技术上的显著进展。UCIe（统一芯粒互联接口）是一种通用的芯粒互联标准，能够实现不同来源和工艺的芯粒之间的互联通信，从而将分散的芯粒生态系统整合为统一平台。三星早在去年就对其工艺进行了优化，以支持UCIe IP的开发。此次原型芯片的成功运行，表明其技术已具备向商业量产迈进的能力。
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据台媒报道，台积电位于美国亚利桑那州的晶圆厂已经完成了为苹果、英伟达（NVIDIA）和AMD制造的第一批芯片，数量达到了2万片晶圆，目前这些芯片已经送往中国台湾进行封装。这批在台积电亚利桑那州晶圆厂生产的4nm制程晶圆，其中包括了英伟达Blackwell AI GPU、苹果公司面向iPhone的A系列处理器和AMD第五代EPYC数据中心处理器。由于台积电目前在美国没有封装厂，因此这些晶圆还需要发送到中国台湾的台积电的先进封装厂利用CoWoS技术进行先进封装。虽然台积电也计划在美国建设两座先进封装厂，但是目
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台积电在阿姆斯特丹举行的欧洲技术研讨会上重申了其对下一代高数值孔径 EUV 光刻工具的长期立场。该公司的下一代工艺技术不需要这些最高端的光刻系统，包括 A16（1.6 纳米级）和 A14（1.4 纳米级）工艺技术。为此，TSMC 不会为这些节点采用 High-NA EUV 工具。“当台积电使用 High-NA 时，人们似乎总是很感兴趣，我认为我们的答案非常简单，”副联席首席运营官兼业务发展和全球销售高级副总裁 Kevin Zhang 在活动中说。“每当我们看到 High-NA 将提供有意义、可衡
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4 月 30 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武今日在美国加州圣何塞举行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活动中亮相，概述了公司在晶圆厂代工项目上的进展。陈立武宣布，公司现在正在与即将推出的 14A 工艺节点（1.4nm 等效）的主要客户进行接触，这是 18A 工艺节点的后续一代。英特尔已有几个客户计划流片 14A 测试芯片，这些芯片现在配备了公司增强版的背面电源传输技术，称为PowerDirect。陈立武还透露，公司的关键 18A 节点现在处于风险生产阶段，预计今年晚
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台积电公布了其 A14（1.4 纳米级）制造技术，它承诺将在其 N2 （2 纳米）工艺中提供显着的性能、功率和晶体管密度优势。在周三举行的 2025 年北美技术研讨会上，该公司透露，新节点将依赖其第二代全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管，并将通过 NanoFlex Pro 技术提供进一步的灵活性。台积电预计 A14 将于 2028 年进入量产，但没有背面供电。计划于 14 年推出具有背面供电功能的 A2029 版本。“A14 是我们的全节点下一代先进芯片技术，”台积电业务发展和全球销售高级副总
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移动处理器大厂高通（Qualcomm）计划推出一款新的4纳米高端芯片组，虽然定位低于旗舰级的Snapdragon 8 Elite，但性能依然备受市场关注。 最新消息指出，这款可能命名为Snapdragon 8s Gen 4的新芯片，高通似乎仍倾向于与老伙伴台积电合作，而非选择三星代工。追踪三星相关消息的南韩科技媒体SamMobile报导，尽管三星的4纳米制程已经通过测试，也经过市场验证，看似有抢单的机会，然而高通似乎仍对三星持保留态度，最终还是决定交由台积电独家代工这款新芯片。其实三星早在2021年就以第
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3 月 24 日消息，消息源 @Gadgetsdata 于 3 月 22 日在 X 平台发布推文，分享了高通骁龙 8s 至尊版芯片的更多细节，并透露该芯片的各项配置更接近于骁龙 8s Gen 3 芯片。援引博文介绍，高通骁龙 8s 至尊版采用 4nm 制程工艺，没有采用Oryon自研核心，其配置信息如下：骁龙8s Gen 38s Elite8 Elite节点4nm4nm3nmCPU,主核1x Cortex-X4 @ 3.0GHz1x Cortex-X4 @ 3.21GHz2x Oryon @ 4.32GH
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知情人士称，苹果在台积电美国亚利桑那州工厂（Fab 21）生产的4nm芯片已进入最后的质量验证阶段，英伟达和AMD也在该厂进行芯片试产。不过，台积电美国厂尚不具备先进封装能力，因此芯片仍需运回台湾封装。有外媒在最新的报道中提到，去年9月份就已开始为苹果小批量代工A16仿生芯片的台积电亚利桑那州工厂，目前正在对芯片进行认证和验证。一旦达到质量保证阶段，预计很快就能交付大批量代工的芯片，甚至有可能在本季度开始向苹果设备供货。▲ 台积电亚利桑那州晶圆厂项目工地，图源台积电官方台积电位于亚利桑那州的在美晶圆厂项目
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据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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12月30日消息，据国外媒体报道称，台积电亚利桑那工厂将于2025年下半年开始量产4nm工艺，苹果、英伟达、AMD 和高通等客户将成为主要受益者。不过，对于消费者来说就不那么友好了，因为如果真是这样的话，那么大家要承担30%涨价。为什么这么说？报道中提到，台积电的4nm工艺将在亚利桑那州工厂的一期（1A）厂区投产，但生产成本预计将比现有的高出30%，这是美国客户需要考虑的问题。据悉，该工厂将负责4nm生产，但这是第一阶段的计划，因为在第二阶段，台积电计划在2028年量产2nm，尽管目前这还有点不确定。按照
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据彭博社援引消息称，台积电美国亚利桑那州晶圆厂项目首座工厂4nm产线的试产良率已与台积电位于台湾地区的南科厂良率相近。台积电在回应彭博社报道的电子邮件中表示，其亚利桑那州项目“正在按计划进行，进展良好”。根据此前的信息显示，台积电美国亚利桑那州的第一座晶圆厂在今年4月中旬完成了第一条生产线的架设，并开始接电并投入基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，而根据彭博社最新的报道来看，基于该生产线的第一批试产的4nm晶圆良率如果与南科厂良率相当，那么表明其后续如果量产，良率将不是问题。根据规划，台积电将在美国亚利
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7月29日消息，高通正式发布了新款移动平台骁龙4s Gen 2，这款芯片定位于入门级市场，采用三星4nm工艺技术。CPU为八核心设计，包括2个最高可达2.0GHz的A78内核和6个A55内核，最高频率为1.8GHz。这款芯片支持Wi-Fi 5、蓝牙5.1、5G NR，以及最高8400万像素的照片拍摄和1080P 60P视频录制，同时兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X运行内存。与前代产品高通骁龙4 Gen 2相比，骁龙4s Gen 2的多项性能参数有所降低，例如CPU大核主频从2
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根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥
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IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申，其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产，回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利，预计可于 2027 年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外，三星电子正在通过材料和结构方面的创新，积极研究后 1.4nm 时代的先进逻辑制程技术，实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认，其仍计划在 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的
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