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ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场

  • 据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术越来越成熟，半导体制程微缩至2020年前后三年，以超过50%幅度前进，不过速度可能会在2030年放缓。故ASML计划年底前发表首台商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光设备（原型制作），
  • 关键字： ASML  NA  EUV  光刻设备  

可穿戴与IoT用DC/DC：如何实现纳安级消耗电流？ 　

  • 可穿戴等市场发展快。DC/DC转换器成为影响这些产品电池寿命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超轻载消耗电流只有180 nA，通过电路、布局和工艺实现。
  • 关键字： 可穿戴  DC/DC  降压型  轻载  nA  201804  

电流-频率转换电路--1NA~100UA转0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA电流为10的负6次方/800*10的负12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的时间林约是9MS，频率为111HZ。实际上必须加上上升时间，所以振荡频率大约为100HZ。 因为C1的微调很困难，所以允许A2的正
  • 关键字： 100  0.1  KHZ  NA    

尼康NA超过1的液浸设备半导体商正式采用

  • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半导体厂商供应用于55nm工艺（hp55）芯片制造、开口数（NA）为1.07的液浸ArF曝光设备“NSR-S609B”。这是全球首次供应NA超过1的液浸ArF曝光设备。  　　这家大型半导体厂商的名字，尼康没有公布，估计是过去在技术方面与之开展合作的东芝。  　　作为全折射型液浸曝光设备，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技术，能够实现很高的分辨率。对于液浸产生的缺陷和重合不稳定性的问题，据称利用名为“Local-fill（局部
  • 关键字： NA  尼康  嵌入式系统  
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