SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。图1是传统典型的驱动芯片退饱和检测原理，芯片内置一个恒流源。功率开关器件在门极电压一定时，发生短路后，电流不断增加，导致器件VCE电压迅速提升至母线电压，高压二极管被阻断，恒流源电流向电容CDESAT充电，当上电容CDESAT的电压被恒流源充至大于比较器参考电压后，触发驱动器关闭输出。
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