近日，西部数据旗下的西数®、WD_BLACK™、闪迪大师®产品系列发布了全球领先容量的2.5英寸便携式移动硬盘产品，包括6TB容量型号的*西数®My Passport™移动硬盘系列产品、WD_BLACK™ P10 游戏移动硬盘以及闪迪大师极客™ G-DRIVE™ArmorATD™ 外置硬盘。西部数据公司中国及亚太区销售副总裁Stefan Mandl表示：“全球领先的2.5英寸6TB*便携式移动硬盘的发布进一步丰富了西部数据旗下的产品组合。我们将基于这项卓越的技术创新，不断突破边界，实现更多可能。全新的便携
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西部数据发 2.5英寸 移动硬盘
随着嵌入式的快速发展，在工控、通信、5G通信领域，FPGA以其超灵活的可编程能力，被越来越多的工程师选择。近日，米尔电子发布2款FPGA的核心板和开发板，型号分别为：基于紫光同创Logos-2系列PG2L100H的MYC-J2L100H核心板及开发板、基于Xilinx Artix-7系列的MYC-J7A100T核心板及开发板。国产FPGA开发平台紫光同创Logos-2紫光同创Logos2系列国产FPGA芯片，第一款高性价比FPGA产品PG2L100H及其全套自主软件和IP方案，该系列芯片采用28nm CM
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Logos-2 Artix-7 FPGA核心板 FPGA国产 PG2L100H XC7A100T
此次合作将加速用于室内导航、追踪和远端设备控制的 UWB 设备的最新 FiRa 2.0 安全测距测试的实施和验证。先进无线测试解决方案提供商LitePoint与三星电子今日宣布紧密合作，支持FiRa 2.0物理层（PHY）一致性测试规范内定义的新安全测试用例。新安全测距测试用例在LitePoint IQgig-UWB 和IQgig-UWB+平台上的自动化测试软件IQfact+内执行，并用三星提供的最新UWB芯片组Exynos Connect U100验证。UWB 凭借其独特的厘米级距离测量精度、距离限制能
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LitePoint 三星电子 FiRa 2.0 安全测距测试
芯原股份近日宣布低功耗 AIoT 芯片设计厂商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技， 股票代码：688049.SH）在其高集成度的双模蓝牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中采用了芯原低功耗且功能丰富的2.5D图形处理器（GPU）IP。 炬芯科技的智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列拥有卓越的图形显示性能，采用2D+2.5D双GPU硬件加速配置，支持JPEG硬件解码，具有高帧率、低功耗等特点。该系列SoC以其高集成度，可实现单
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炬芯 智能手表 芯原 2.5D GPU IP
这几年，Intel以空前的力度推进先进制程工艺，希望以最快的速度反超台积电，重夺领先地位，现在又重申了这一路线，尤其是意欲通过未来的14A 1.4nm级工艺，在未来巩固自己的领先地位。目前，Intel正在按计划实现其“四年五个制程节点”的目标，Intel 7工艺、采用EUV极紫外光刻技术的Intel 4和Intel 3均已实现大规模量产。其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。In
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英特尔 晶圆 芯片 先进制程 1.4nm
5 月 10 日消息，韩媒 ZDNet Korea 援引业内人士的话称，三星电子的 AI 推理芯片 Mach-1 即将以 MPW（多项目晶圆）的方式进行原型试产，有望基于三星自家的 4nm 工艺。这位业内人士还表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工艺的可能。三星已为 Mach-1 定下了时间表：今年下半年量产、今年底交付芯片、明年一季度交付基于该芯片的推理服务器。同时三星也已获得了 Naver 至高 1 万亿韩元（当前约 52.8 亿元人民币）的预订单。虽然三星电子目前能提供 3nm 代工，但在 M
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三星 AI Mach-1 原型试产 4nm 工艺
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售Analog Devices, Inc. (ADI) 的MAX32690微控制器 (MCU)。MAX32690是一款先进的片上系统 (SoC)，将所有必要的处理能力与各种消费类和工业物联网 (IoT) 应用所需的易连接性和蓝牙功能结合在一起，是适用于电池供电应用的理想型超高效MCU。贸泽电子供应的ADI MAX32690 MCU搭载120MHz Arm® Cortex®-M4F CPU，具
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贸泽 Analog Devices ADI Cortex-M4F BLE 5.2 微控制器 MCU
Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出 USB 2.0 信号调节器产品PI5USB212，可在供电电压低至 2.3V 的状态下工作。PI5USB212 设计用于笔记本电脑、个人计算机、扩充坞、延长线、电视及显示器，能自动检测 USB 2.0 高速传输。在 PCB 走线或数据线延长至 5 米时亦可保持信号完整性。此款 IC 对称升压 USB
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Diodes公司 USB 2.0信号调节器
几个月前，台积电发布了 2023
年年报，但显然，文件中包含的关键信息被遗漏了。在深入探讨之前，我们先来谈谈台积电的 A14，或者说被许多分析师称为技术革命的
A14。台积电宣布，该公司终于进入了"Angstrom 14 时代"，开始开发其最先进的 A14 工艺。目前，台积电的 3 纳米工艺正处于开始广泛采用的阶段。因此，1.4 纳米工艺在进入市场之前还有很长的路要走，很可能会在 2 纳米和 1.8 纳米节点之后出现，这意味着你可以预期它至少会在未来五年甚至更长的时间内出现。著
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台积电 Angstrom 14 1.4纳米 工艺
作为 Rambus 行业领先的接口和安全数字 IP 产品组合的最新成员，GDDR7 内存控制器将为下一波AI推理浪潮中的服务器和客户端提供所需的突破性内存吞吐量。面向AI 2.0的内存解决方案AI 2.0代表着生成式AI革命性世界的到来。AI 2.0借助大语言模型（LLM）及其衍生模型的巨大增长创建新的多模态内容。多模态意味着可以将文本、图像、语音、音乐、视频等混合输入到模型中，从而创建出这些以及其他媒体格式的输出，例如根据图像创建3D模型或根据文本提示创
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Rambus GDDR7 内存控制器IP AI 2.0
近日，英特尔AI教育峰会暨OPS2.0全球发布活动在第83届中国教育装备展示会期间顺利举行。峰会现场，英特尔携手视源股份、德晟达等合作伙伴正式发布新一代开放式可插拔标准——OPS 2.0，并展示了基于该标准的多元化行业领先解决方案，以进一步加速智慧教育终端与智能应用的创新与落地，开创面向未来的智慧教育新生态。英特尔公司市场营销集团副总裁、英特尔中国网络与边缘及渠道数据中心事业部总经理郭威表示，“英特尔多年来始终致力于推动智慧教育与视频会议领域的数字化创新。作为英特尔精心打造的新一代计算模块，OPS 2.0
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英特尔 OPS 2.0 智慧教育 开放式可插拔标准
天线测量解决方案领导者Microwave Vision Group（MVG）近日宣布与欧洲航天局 (ESA) 签订两份合同，位于荷兰的欧洲航天研究和技术中心 (European Space Research and Technology Centre, ESTEC)将通过MVG天线测量技术为其新型改进射频测试设施Hertz 2.0提供补充。Hertz 2.0将受益于大型多轴定位器，使中型和重型被测设备 (DUT) 能够在任何角度方向上进行高精度测试。MVG 与 DUT 定位器一起为紧缩场(CATR)馈源提
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欧洲航天局 MVG Hertz 2.0 测试
致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商—大联大控股近日宣布，其旗下诠鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。图示1-大联大诠鼎基于立锜科技产品的240W PD3.1快充方案的展示板图随着PD3.1快充协议的发布，USB充电技术迎来了重大突破。该协议将电源的输出电压提升至48V、充电功率同步提升至240W。在此背景下，传统的反激方案以及适用于20V输出的协议芯片已无法满足当前的市场需求。设备制造商需要更新他们的
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大联大诠鼎 立锜 PD3.1 快充
4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日发布新闻稿，介绍了新款 MTIA 芯片的细节。MTIA v1 芯片采用 7nm 工艺，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工艺，采用更大的物理设计（拥有更多的处理核心），功耗也从 25W 提升到了 90W，时钟频率也从 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已经在 16 个数据中心使用新款 MTIA 芯片，与 MTIA v1 相比，整体性能提高了 3 倍。但 Meta 只主动表示
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Meta MTIA 芯片 5nm 工艺 90W 功耗 1.35GHz
4月11日消息，根据产业链消息，台积电的2纳米和1.4纳米工艺已经取得了新的进展。据了解，台积电的2纳米和1.4纳米芯片的量产时间已经确定。2纳米工艺的试产将于2024年下半年开始，而小规模量产将在2025年第二季度进行。值得一提的是，台积电在亚利桑那州的工厂也将参与2纳米工艺的生产。到了2027年，台积电将开始推进1.4纳米工艺节点，这一工艺被正式命名为"A14"。按照目前的情况，台积电最新的工艺制程很可能会由苹果率先采用。按照台积电的量产时间表，iPhone 17 Pro将成为首批
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iPhone 17 Pro 台积电 2nm 1.4nm 工艺
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