在上周的说法会上,台积电宣布2020年的资本开支是150到160亿美元,其中80%将投向先进产能扩增,包括7nm、5nm及3nm。这次说法会上台积电没有公布3nm工艺的情况,因为他们4月份会有专门的发布会,会公开3nm工艺的详情。台积电的3nm工艺技术最终选择什么路线,对半导体行业来说很重要,因为目前能够深入到3nm节点的就剩下台积电和三星了,其中三星去年就抢先宣布了3nm工艺,明确会放弃FinFET晶体管,转向GAA环绕栅极晶体管技术。具体来说,三星的3nm工艺分为3GAE、3GAP,后者的性能更好,不
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三星 台积电 工艺
在先进半导体工艺上，国内最大的晶圆代工厂中芯国际SMIC的14nm工艺已经量产，改进版的 12nm工艺也在导入中，取得了优秀的成绩。考虑到国内半导体工艺上的落后，光指望中芯国际一家也是不行的，上海华虹集团日前透露其14nm FinFET工艺也全线贯通，SRAM良率已达25%。1月12日下午，，华虹集团在无锡新落成的华虹七厂研发大楼召开“开放、创新、合作—华虹集团2020年全球供应商迎新座谈会”，邀请了国内30多家、国外50多家供应商合作伙伴出席，华虹集团高管分享了该公司的最新进展。华虹方面表示，
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CPU处理器 工艺
Intel的制程工艺一直备受关注。今天早些时候，荷兰光刻机巨头ASML(阿斯麦)放出一张路线图，赫然罗列了Intel 7nm、5nm、3nm、2nm、1.4nm等工艺节点，尤其是最后这个将在2029年上马的1.4nm非常意外，是我们第一次看到非整数工艺节点。就此消息，快科技收到了Intel官方的澄清声明。原来，这张路线图并非完全来自Intel官方，而是ASML CEO Martin van den Brink拿了此前Intel 9月份公布的一张制程工艺更新PPT修改而来，自行添加了原来没有的几个工艺名称，
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英特尔 CPU处理器 工艺 阿斯麦
近日，全球领先的特殊工艺半导体代工厂格芯(GF®)今日宣布从位于保加利亚索菲亚的Smartcom Bulgaria AD手中收购PDK（工艺设计套件）工程团队。新收购的团队将扩大格芯的规模和能力，增强格芯在专业应用解决方案方面的竞争力，提高成长潜力和价值创造能力。PDK（工艺设计套件）是一家公司集成电路(IC)设计与晶圆厂（制造客户芯片产品）之间的关键接口。自2015年以来，Smartcom一直在为格芯的PDK开发和质量保证提供支持，涵盖从350nm至12nm的平台技术。根据收购条款，格芯将收购Smart
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工艺 接口
不同于CPU处理器等逻辑芯片的制造工艺都精确到具体数值，闪存、内存工艺一直都是很模糊的叫法，比如10nm-class(10nm级别)，只是介于20nm和10nm之间，然后又分为1xnm、1ynm、1znm等不同版本，越来越先进，越来越接近真正的10nm。
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美光 内存 10nm 工艺
这几年，虽然摩尔定律基本失效或者说越来越迟缓，但是在半导体工艺上，几大巨头却是杀得兴起。Intel终于进入10nm工艺时代并将在后年转入7nm，台积电、三星则纷纷完成了7nm工艺的布局并奔向5nm、3nm。
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台积电 工艺 2nm
国内最大的晶圆代工厂中芯国际今天下午发布Q1季度财报，营收6.7亿美元，同比下滑19.5%，净利润1227万美元，同比下滑58%，不过中芯国际表示FinFET工艺研发进展顺利，12nm工艺进入客户导入阶段，下一代FinFET工艺研发进度喜人——虽然没有明确下一代工艺具体是什么，但中芯国际的表态意味着国产10nm或者7nm工艺研发进度还是很不错的。
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中芯国际 7nm 工艺
曾经，先进的制造工艺是Intel狠狠压制AMD乃至整个半导体行业的绝对大杀器，但现在完全反了过来。Intel 14nm工艺遭遇前所未有危机，至今未能量产，而台积电、三星一路狂奔，10nm、7nm、5nm相继上马。虽然不同家的工艺技术不能完全看一个单纯的数字，但不得不承认Intel确实被越甩越远。 GlobalFoundries放弃7nm、5nm先进工艺研发后，AMD转向了台积电，这次算是傍上了大树，接下来的从桌面到服务器再到笔记本，从处理器到显卡，统统都是台积电7nm。 7nm之后，台积电更是还有7n
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AMD TSMC 工艺
如何向芯片设计企业推荐最合适的工艺，芯片设计企业应该怎么权衡?不久前，在珠海举行的“2018中国集成电路设计业年会(ICCAD)”期间，
芯原微电子、Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司、UMC(和舰)公司分别介绍了他们的看法。 图
从左至右：Cadence南京子公司南京凯鼎电子科技有限公司总裁王琦博士、芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士、UMC(和舰)公司副总经理林伟圣 先进工艺选择的考量 芯原微电子创始人、董事长兼总裁戴伟民博士称，28 nm以前一切是很好的、没有争
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芯片 工艺
特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。 第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小芯片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-A
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0.18 BCD 工艺
诚然现阶段中国半导体业的发展，可能并非存在哪种模式下一定优越，正是百花齐放的好时代。但是对于它的风险性可能尚缺乏足够的重视与认识。因为半导体业有许多独特的规律，其中生产线太分散，不但造成互相争抢人材，力量不能集中，同时未来要保证生产线的连续运行是十分困难的。因为我们无法与如三星、台积电、英特尔等大牌厂商相比拟，它们的单条生产线规模大，订单稳定，设备厂可以从它的提供服务中获得收益。 -莫大康 2018年8月27日 半导体业的最大特征有两条：一个是摩尔定律，每两年工艺制程前进一个台阶，基本上同样工艺
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芯片 工艺
LED照明灯具无论在制造或是在应用的过程中或多或少都会有问题，下面集合了LED行业人士的心血的98个常见问题，熟知这98个LED灯具问题，先不说称霸武林，
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LED 应用 工艺
LED行业发展日新月异，每天都有新信息、新科技出来，竞争犹如逆水行舟不进则退，今天你充电了吗?LED芯片也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就
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LED 芯片 亮度 工艺
封装结构设计、选用合适封装材料和工艺水平，目前LED封装结构形式有100多种，主要的封装类型有Lamp系列40多种、SMD（chip LED和TOP LED）系列30多种、
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LED 封装形式 工艺
半导体产业作为一个起源于国外的技术，很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历，或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点，那就导致很多的英文术语被翻译为中文之后，很多人不能对照得上，或者不知道怎么翻译。在这里我们整理一些常用的半导体术语的中英文版本，希望对大家有所帮助。如果当中有出错，请帮忙纠正，谢谢! 常用半导体中英对照表 离子注入机 ion implanter LSS理论 Lindhand Scharff and Schiott theory，又称“林汉德-斯卡夫-斯
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半导体，工艺
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