日本光学及半导体设备大厂尼康(Nikon)未来可能进行人事调整，以数位相机及半导体设备事业为主，希望转型重建企业经营。
根据报导，日本半导体事业始于日本政府的产业计划，1970年代由官方与民间合作的结果，建立了从半导体设备到半导体生产线的完整事业。当时名为日本光学工业的尼康，借其光学技术推出先进的曝光装置，制造精密半导体的线路，是日本半导体产业在1980~1990年代与美国平起平坐的主因。
但是，1984年从荷兰电机大厂飞利浦(Philips)独立的ASML，由于积极与外界学校及厂商合作，
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尼康 ASML
全球芯片光刻技术领导厂商阿斯麦(ASML) 和德国卡尔蔡司 (ZEISS) 旗下的蔡司半导体有限公 司 (Carl Zeiss SMT) 11月3日共同宣布，由 ASML以10亿欧元现金收购 Carl Zeiss SMT的24.9%股权，以强化双方在半导体光刻技术方面的合作，发展下一代EUV光刻系统，让半导体行业得以用更低的成本制造更高效能的微芯片。目前双方并没有进一步股权交换的计划。
Carl Zeiss SMT是ASML最重要的长期策略合作伙伴，30 多年来，为ASML的光刻设备提供最关火键
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ASML 蔡司
荷商艾司摩尔(ASML)可能有办法解决全球半导体产业所面临的问题：如何一面让晶片保持现有尺寸，一面增加它们的性能。
半导体产业的过去发展均照着摩尔定律在走，这个由英特尔共同创办人摩尔于1965年首度提出的定律指出，每隔两年，晶片制造商就能使传统微处理器的电晶体数目倍增，且性能也会随之提升。
不过，英特尔执行长科再奇去年警告，经过几十年的快速发展，未来半导体业每隔两年半业才会出现过去那种进展。
ASML则相信自家突破性的技术，能延后半导体产业步入衰败期的时间。主导ASML相关业务的梅灵
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ASML 摩尔定律
尽管与国外大厂有技术差距，但国内的设备厂商正处于一个进步、崛起的阶段。
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半导体 ASML
北京时间9月8日消息，据路透社报道，三星电子周四表示，将出售荷兰半导体设备制造商ASML控股的部分股份。
交易条款清单显示，三星将以大约6.06亿欧元出售630万股ASML股票。三星并未披露此次交易的财务条款。
三星称，此次股份出售不会影响两家公司的战略伙伴关系。三星在8月16日提交的监管文件中称，公司持有1260万股ASML股票，持股比例为2.9%。
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三星 ASML
半导体设备厂商不只大者恒大，市占愈发倾向于大厂，如果科林与艾司摩尔并购案顺利通过，未来半导体设备厂商三强鼎立的局面或也可能出现。
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ASML 汉微科
全球半导体微影技术领导厂商艾司摩尔(ASML)昨(20)日宣布，在台积电(2330)、英特尔及三星三大晶圆厂力挺下，最先进的极紫外光(EUV)已连续四周平均妥善率逾八成，本季底前将完成三台最新的EUV系统出货。
EUV堪称半导体设备发展以来最昂贵的设备，一台售价高达9,000 万欧元(约新台币36亿元)，这项设备也是半导体产业向更先进制程发展最关键设备，因此发展进度，一直各界关注焦点。
台积电共同执行长暨刘德音表示，台积电本季将会再增购一台EUV设备，不过台积电将会于5奈米制程才会导入生产
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ASML 台积电
微影设备制造商ASML近期宣布，接获美国一家主要客户十五部EUV机台订单，并将于今年底开始陆续出货;同时间，日本光阻材料大厂JSR也与IMEC合资成立新公司，致力生产EUV微影所需的光阻剂，为EUV微影技术的商用发展揭橥新的里程碑。
极紫外光微影(EUV Lithography)技术发展大有斩获。半导体设备供应商艾司摩尔(ASML)日前公开宣布，该公司与美国一家主要客户已签属协议书，将提供至少十五台的最新一代EUV微影系统机台，以支援不断增加的制程开发活动和未来世代制程的试量产。
双方交易
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ASML 微影系统
在电子业追求高速发展的今天，英特尔要放慢研发脚步了，这是表演的哪一出？当今技术进步付出的代价成级数级上升，效率的进步以及难以抵消研发的投入，所以需要放慢脚步，找到真正能够降低成本的方式。
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英特尔 ASML
欧洲最大半导体设备供应商艾司摩尔控股公司(ASML Holding NV NL-ASML)预估第1季营收低于预期，并表示获利能力将受到下一代极紫外光(EUV)系统订单的箝制。
艾司摩尔今天在声明稿中指出，预期2014年前3个月销售净额约14亿欧元(18.8亿美元)。相较之下，彭博社汇编12位分析师的预测均值为17.1亿欧元。艾司摩尔预测毛利率42%左右，相较于调查预估中值42.5%。
艾司摩尔指出，首季利润率预测包括EUV系统的负面影响，若不含EUV，利润率将提高1.9个百分点。在
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ASML 半导体设备
艾司摩尔(ASML)与比利时微电子研究中心(IMEC)合作案再添一桩。双方将共同设立先进曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半导体产业突破10奈米(nm)以下先进奈米曝光制程技术关卡，让微影(Lithography)技术及其设备更臻成熟，加速制程微缩技术的商用化。
ASML总裁暨执行长Martin van den Brink表示，长期以来，该公司与IMEC的合作，已促成半导体制程发展不断突破;而此次的合作案，预期将进一步加快先进奈米制程技术及其相关设备
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10nm ASML
微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每小时晶圆产出片数为43片，预计2013年底前，可达到80瓦的目标，2015年达250瓦、每小时产出125片。
半导体生产进入10纳米后，虽然可采用多重浸润式曝光方式，但在一片晶圆上要进行多次的微影制程曝光，将导致生产流程拉长，成本会大幅垫高，半导体大厂为
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ASML EUV
推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩尔定律快“寿终正寝”的声音已不容置辩，但是14nm的步伐仍按期走来，原因究竟是什么?
传统光刻技术与日俱进
当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次图形曝光技术。
提高光刻的分辨率有3个途径：缩短曝光波长、增大镜头数值孔径NA
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极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆厂，合力改良EUV光源功率与晶圆产出速度，预计2015年可发布首款量产型EUV机台。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟提到，ASML虽也同步投入E-Beam基础研究，但目前对相关设备的开发计划仍抱持观望态度。
ASML亚太区技术行销协理郑国伟表示，ASML于2012年
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ASML EUV
ASML和Cymer上周五宣布，已经完成此前宣布的两家合并计划，ASML成功收购了Cymer公司，作为该合并结果，Cymer普通股以20.00美元现金外加1.1502的 ASML普通股权益，ASML的股本也将因此增加大约3650万股。
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