- 据 The Elec 报道，三星计划外包用于存储芯片制造的光掩模的生产。到目前为止，该公司一直在内部生产所有光掩模，以防止技术泄漏。Elec 表示，据报道，三星正在评估低端光掩模的潜在供应商，例如 i-line 和 KrF。与此同时，消息人士称，三星计划将 i-line 和 KrF 光掩模外包，以便将这些资源重新分配给 ArF 和 EUV。正如报告所强调的那样，ArF 和 EUV 光掩模更先进，将成为增强三星技术竞争力的关键。据 Business Korea 援引消
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三星 低端光掩模 ArF EUV
- 5 月 14 日消息，光掩模（版）系生产集成电路所需之模具，是用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构，其原理类似于冲洗相片时利用底片将影像复制到相片上。韩国科技媒体 TheElec 今日报道称，三星电子正计划将内存芯片制造所需的光掩模生产业务进行外包。据称，目前三星已启动供应商评估流程，候选企业包括日本 Toppan 控股子公司 Tekscend Photomask 和美国 Photronics 旗下 PKL（注：厂址位于京畿道），评估结果预计第三季度公布。TheElec 报道称，三星准备将低端产品（i-
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- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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- 随着 2nm 成为芯片制造商的下一个战场，三星正在像英特尔一样竞相通过获得重大外部订单来缩小与台积电的差距。现在，它可能只差一步：根据 Chosun Biz 的说法，Samsung Foundry 已经进入了使用 NVIDIA GPU 和高通 AP 进行 2nm 性能测试的最后阶段。Chosun Biz 表示，三星在其第一个基于 GAA 的节点 3nm 上来之不易的经验现在正在得到回报——据报道，3nm 良率已超过 60%，2nm 良率已攀升至 40% 以上。据 Sedail
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- 据称，继 NVIDIA H20 的最新出口限制之后，这家美国芯片巨头正在开发该芯片的降级版本，以在中国销售。由于改进后的芯片预计将大幅削减，尤其是在内存容量方面，New Daily 的一份报告暗示 NVIDIA 可能会用 GDDR 取代 HBM，这可能会破坏内存供应链。正如路透社所指出的，Team Green 已经向中国主要的云提供商提供了有关即将推出的公告。据路透社报道，H20 的低调版本由新设定的技术限制塑造，最早可能在 7 月发布。目前，韩国《数字时报》报道称，NVIDIA 坚持从三星和
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- 台积电稳居全球晶圆代工龙头宝座，市占率高达67.1%，而排名第2的三星电子半导体部门，市占仅8.1%。 双方在晶圆代工领域的差距越来越大，韩媒最新报导更指出，两家公司已存在超过10兆韩元（约新台币2268亿元）的落差，三星远远落后。据韩国《朝鲜日报》报导，业界人士于11日透露，三星电子旗下掌管半导体业务的装置解决方案部门（DS），在今年第1季的营收为25.1兆韩元（约新台币5694亿元），与去年同期相比成长了9%，然而与上一季相比，却呈现了17%的下滑。 三星电子方面解释，其代工业务部门的业绩表现由于移动
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- 在特朗普加征关税之前囤积数据推动的 DRAM 需求激增似乎是真实的。据韩国 Etnews 报道，三星一年多来首次提高了 DRAM 价格，其中 DDR4 的涨幅最大。该报告表明，三星在 5 月初与主要客户敲定了新的定价条款，已将 DDR4 价格提高了约 20%。与此同时，该报告补充说，DDR5 价格的涨幅较小，约为 5%。三星第二季度利润或将得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 价格是以数月为基础进行谈判的，因此最近的上涨预计将在一段时间内支持盈利能力，从而为三星第二
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- 据报道，随着 Apple 的第一款可折叠 iPhone 将于 2026 年上市，有关该旗舰产品的更多细节已经浮出水面。据 SamMobile 称，三星显示已经创造了其有史以来最薄的可折叠 OLED 面板——甚至超越了自己的 Galaxy Z Fold 系列中的面板——为该型号提供动力。值得注意的是，韩国经济日报表示，三星显示已被选为苹果首款可折叠 iPhone 的 OLED 显示器独家供应商。据报道，此举预计将巩固三星在全球可折叠 OLED 显示器市场的主导地位，将其份额从 40% 提
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- 随着存储器巨头加速布局HBM4和多层NAND产品，混合键合技术越来越受到关注。根据 ZDNet 的一份报告，韩国三星电子和SK海力士在关键专利方面仍然落后。该报告强调，三星和SK海力士披露的混合键合相关专利相对较少，大幅低于竞争对手长江存储。 据报道，三星电子已与长江存储签署了一项许可协议，在其下一代NAND中采用混合键合技术。此举反映了三星希望规避长江存储的专利的挑战，这些专利被认为难以避免。报告指出，长江存储在其“Xtacking”品牌下大规模生产基于混合键合的NAND已有大约四年
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- 三星电子因良率不佳面临大挫败，根据科技媒体wccftech报导，传出超微已取消三星4纳米制程订单，超威已改为委托台积电，以4纳米制程生产EPYC服务器中央处理器。三星晶圆代工事业面临大挑战，根据报导，超威已将原本交给三星代工的EPYC服务器，转给台积电美国亚利桑那州新厂以4纳米生产，台积电美国厂接单频传喜讯，包括苹果、辉达等都宣布要在该厂区投片。知名爆料人士@Jukanlosreve指出，超微将把EPYC服务器处理器转交给台积电美国亚利桑那州厂生产。 目前还不知超微转单理由，但推测是三星晶圆代工事业表现差
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- 由于三星尖端制程良率偏低，以及美国特朗普政府关税政策影响，处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单，进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。这一决定标志着三星代工业务继失去高通、英伟达等科技巨头价值数十亿美元的尖端芯片订单后，再次遭遇重大挫折。
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- 随着美国 232 条款半导体调查的公众意见截止日期的临近，整个芯片行业的焦虑情绪越来越大。迫在眉睫的关税决定给财报旺季蒙上了一层阴影，在地缘政治和贸易紧张局势加剧的情况下，科技巨头不愿发布明确的预测。这是非常不寻常的，因为财务预测通常是公司方向和战略的最重要指标之一。由于有传言称关税税率在 25% 到 100% 之间，芯片制造商发现很难预测他们的前景，尤其是 2025 年下半年。Marvell 在一份新闻稿中表示，在全球贸易紧张局势和“动态宏观经济环境”的情况下，该公司将其 2025 年 6 月的投资者日
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- 据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子在2025年2月左右已提前开始量产12层堆叠的HBM3E高带宽内存，但尚未通过GPU巨头英伟达的认证，因此目前无法向其供货。这一决定让三星面临积累大量库存的风险。市场消息人士透露，三星对其12层堆叠HBM3E的性能和稳定性充满信心，认为能够顺利通过英伟达的认证流程。提前量产的策略旨在通过认证后快速供货，助力实现2025年HBM出货量达到2024年两倍的目标。目前，英伟达最新的AI芯片主要采用SK海力士供应的12层堆叠HBM3E。SK海力士凭借其在HBM市场的主
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- 据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门负责人全永铉近日率领高层团队紧急访问美国硅谷，与苹果、NVIDIA、博通等美国科技巨头展开会晤。此次行程为期至少一周，重点在于巩固DRAM、次世代高带宽存储器（HBM）以及晶圆代工领域的订单，并探讨应对美国潜在关税政策的策略。三星高层团队此次放弃韩国“家庭月”连假，显示了其在恢复半导体竞争力方面的紧迫感。2025年第1季，三星在全球DRAM市场失去龙头地位，被SK海力士超越，因此确保移动DRAM（LPDDR）和次世代DRAM的供应显得
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- 三星已向其供应链传达消息，多款基于1y nm（第二代10nm级别）工艺制造的DDR4产品本月即将停产，以及1z nm（第三代10nm级别）工艺制造的8Gb LPDDR4也将进入EOL阶段。与此同时，美光已通知客户将停产服务器用的旧版DDR4模块，而SK海力士也被传将DDR4产能削减至其生产份额的20%。这意味着内存制造商正加速产品过渡，把更多资源投向HBM和DDR5等高端产品。ddr4和ddr5的区别· 带宽速度：DDR4带宽为25.6GB/s，DDR5带宽为32GB/s；· 芯片密度：DDR4芯片密度为
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三星介绍
韩国三星电子成立于1969年，正式进入中国市场则是1992年中韩建交后。1992年8月，三星电子有logo限公司在中国惠州投资建厂。此后的10年，三星电子不断加大在中国的投资与合作，已经成为对中国投资最大的韩资企业之一。2003年三星电子在中国的销售额突破100亿美元，跃入中国一流企业的水平。2003年，三星品牌价值108.5亿美元，世界排名25位，被商务周刊评选为世界上发展最快的高科技品牌。
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