宾夕法尼亚、MALVERN —2019年3月29日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，扩展其汽车级IHLP®薄形大电流电感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作温度+155 °C，高度2mm，节省汽车发动机舱环境下的使用空间。 日前推出的器件符合AEC-Q200标准，适合用于DC/DC转换器储能，频率可达2 MHz。同时，电感器在自谐振频率 (SR
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VISHAY IHLP®电感器 IHLP-2020BZ-5A
2019年3月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，推出新系列采用无色表面贴装和半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED---VLD.1232..系列。Vishay Semiconductors
VLD.1232..系列器件采用最先进的InGaN /蓝宝石衬底芯片技术，发射角缩小到± 9°，不需要外置透镜，亮度极高，典型发光强度达到16 000
mcd。 日前发布的LED亮度极高，小型塑壳外形尺寸为2.3 mm x 2.3
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Vishay LED
2019年3月25日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，推出新系列汽车级交流线路陶瓷盘式安规电容器---AY1系列，新款电容器是业内此类器件中首款通过AEC-Q200认证的产品，适用于Class
X1 (760 VAC) / Y1 (500 VAC)应用，符合IEC 60384-14.4标准。 Vishay BCcomponents AY1系列器件适用于电动 (EV)、混合动力 (HEV) 和插电式混合动力汽车
(PHEV)
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Vishay 陶瓷盘式电容器
2019年3月12日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim，California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台，将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。 在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx
microBR
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，推出两款全新系列采用紧凑型DIP-6和SMD-6封装的光可控硅输出光耦---VOT8026A和VOT8123A，进一步扩展其光电产品组合。Vishay
Semiconductors VOT8026A和VOT8123A断态电压高达800 V，静态dV/dt为1000
V/μs，具有高稳定性和噪声隔离能力，适用于家用电器和工业设备。 日前发布的光耦隔离120 VAC、240 VAC和380
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Vishay 光耦
2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款30 V和40
V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鸥翼引线结构PowerPAK®
SO-8L封装，有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证，占位面积比DPAK封装器件减小50%以上，节省PCB空间并降低成本，同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5
mm x 6 mm封装M
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Vishay SQJ407EP
2019年2月28日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，扩展IHSR系列高饱和商用电感器，推出最新4 mm x 4 mm
1616外形尺寸超薄封装器件---IHSR-1616AB-01。Vishay Dale
IHSR-1616AB-01专为计算机、工业和通信应用多相大电流电源及滤波器而设计，直流电阻 (DCR) 比一般功率电感器降低50 %，直流电阻标准允差为5
%，最低3 %允差可用于更精确的电流采样。 日前发布的器
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Vishay 电感器
2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x
5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay
Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率，导通电阻比前代器件降低36%，同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。 日前发布的器件10 V条件下最大导通电阻降至1
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Vishay SiR626DP
日前，Vishay Intertechnology,
Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，公司已扩充其T55系列vPolyTan™表面贴装聚合物钽模塑片式电容器，新增加Z外形 (EIA 7343-19)
尺寸器件。 日前发布的Vishay Polytech电容器高度比标准V 外形 (EIA 7343-20) 尺寸器件低0.1
mm，提高了封装密度，可用于设计更薄的成品。这款器件适用于计算机、服务器、网络基础设施设备、固态硬盘和无线收发器的电源管理、电池解耦和储能。 T55系列的外
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Vishay T55
2019年2月19日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，推出陶瓷中功率短波紫外线
(UVC) 发光二极管---VLMU35CM..-280-120，用于杀菌、消毒和净化。Vishay Semiconductors
VLMU35CM..-280-120器件内嵌石英透镜，采用小型3.5 mm x 3.5 mm x 1.2 mm表面贴封装，使用寿命极长。 日前发布的这款器件专门用于取代UVC水银灯，发射角为± 60°，100 mA条件下
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Vishay 发光二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新的2.5 A
IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A，扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors
VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装，低压降输出电流损耗仅为3.5 mA，可用于提高逆变器级工作效率。 日前发布的光耦采用CMOS技术，含有集成电路与轨到轨输出级光学耦合的AIGaAs
LED，为门控设备提供所需驱动电压。VOD3120电压和电流使
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE
股市代号：VSH)宣布，推出5216紧凑外形尺寸的新型WSBS5216和WSBS5216...14 12 W Power Metal
Strip®功率金属条电池旁路电阻。这款Vishay Dale AEC-Q200认证器件阻值极低，只有100
µΩ，比霍尔效应检流方案精度高、成本低，同时WSBS5216...14可选镀锡端子便于PCB焊接，并提高了耐腐蚀能力。 日前发布的器件采用独有加工技术实现极低阻值。这种低阻值
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Vishay WSBS5216
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出15款采用eSMP®系列超薄SMF(DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件，扩充其表面贴装TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出最新第四代600 V
E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27
%，为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案，同时，栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平，该参数是600 V
MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。 Vishay
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Vishay MOSFET
vishay介绍
威世（VISHAY）集团成立于1962年，总部位于美国宾夕法尼亚洲。40多年中威世集团通过科技创新和不断的并购, 迅速发展成为世界上最大的分离式半导体和无源电子器件制造商之一。目前集团已有69个制造基地遍布全球17个国家，其中中国大陆有7家制造业工厂分别坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集团被美国财富杂志评为半导体领域“2004、2005年度全美最让人钦佩的公司”。其产品被广泛地应用于工业、计算机 [
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