- Flash存储器又称闪速存储器，是20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发存储器。它兼有RAM和ROM的特点，既可以在线擦除、改写，又能够在掉电后保持数据不丢失。NOR Flash是Flash存储器中最早出现的一个品种，与其他种类的Flash存储器相比具有以下优势：可靠性高、随机读取速度快，可以单字节或单字编程，允许CPU直接从芯片中读取代码执行等。因此NOR Flash存储器在嵌入式系统应用开发中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51单
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NOR Flash 接口 单片机
- 以基于TMS320C32 DSP开发的故障录波装置为模型，介绍AMD公司的Flash存储器Am29F040摘 要 的原理和应用；利用它的操作过程实现断电后仍然可以将子程序保存在F1ash存储器内的特 性，结合TMS320C3x提出实现DSP系统上电后用户程序的自动引导的方法。
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DSP Flash TI
- 主要内容是为实现T-MPLS技术于传送网络中的应用。新的面向连接的分组传送技术T-MPLS中，高速率的数据转发交换是其实现的关键。项目设计了一种基于FPGA的四端口千兆速率T-MPLS交换芯片的实现方案，用以完成T-MPLS网络中数据交换转发，同时在边缘节点完成业务的上下路，并进一步完成网络控制和管理平面的设计。
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T-MPLS网络 核心节点 FPGA VIIPro
- 芯片贴板后跑不起来？Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞？程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
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电源电压 Flash MCU
- 据外媒报道，存储芯片市场上周出现降温杂音，麦格理分析师Daniel Kim提出反驳。
他认为下半年DRAM和NAND价格仍会续涨，有利美光、西部数据、三星、南亚科、力成、东芝和SK海力士股价。
据巴隆周刊(Barron's)报导，Daniel Kim发布报告说：「所有数据和消息都表明存储芯片市场今年下半年会比预期更强。 」他看好存储芯片价格会持续涨到今年底。
整体来说，Daniel Kim认为芯片价格上涨，即暴露看空论点的瑕疵。
他指出，建构数据中心的厂商「重视的是系统的表现而
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DRAM Flash
- 北京时间5月12日消息，来自彭博社的报道称，随着AT&T在Straight Path Communications公司的竞购战中败阵，这家美国移动运营商必须考虑是否还有机会收购类似频谱资源，还是在5G军备赛中选择另一个方向发展。
若能收购Straight Path从而获得其所持的大量高频段频谱资源，将有助于AT&T打造一张全国性5G网络。然而，事与愿违，Verizon通过对Straight Path高达31亿美元的收购报价，再次稳固了其美国无线市场No.1的市场地位。
AT
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5G AT&T
- 据外媒报道，美国电信巨头AT&T周一宣布它将以16亿美元的价格收购Straight Path Communications，这将帮助它更好地竞争下一代5G无线手机连网市场。
美国联邦通信委员会已经批准将28GHz和39GHz频谱用于5G无线通信服务，而Straight Path就是这些频谱的最大所有者之一。
AT&T将通过这项收购交易比Verizon、T-Mobile和Sprint等竞争对手领先一步。
Straight Path在今年早些时候与联邦通信委员会达成了一份
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AT&T 5G
- 北京时间1月19日消息，AT&T表示，该运营商已于2017年1月1日正式关闭其2G网络，并将对频谱进行refarm用于更新的技术。
“今天，我们的3G和4G LTE网络已经覆盖了美国99%的人口。”AT&T首席战略官兼技术和运营集团总裁John Donovan表示。“通过关闭我们的2G网络，将为未来网络技术(包括5G)释放更多的频谱。在未来几个月里，我们计划将这些频谱在LTE网络上进行重新利用。”
AT&T最早于201
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AT&T LTE
- 2016年Flash原厂加速向3D NAND切换，除了研发成本增加，切换过程中也很容易出现产能损失，同时还需要更新旧设备，增加新设备，以及扩大生产空间，从而导致Flash原厂NAND Flash产出减少，以及投资成本增加。
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Flash 三星
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- 据外媒报道，AT&T顶级网络执行官日前表示，该运营商将部分依赖未授权频谱，以便将其LTE网络速度提升至1Gbps。
但是T-Mobile某顶级执行官则表示，该运营商无需未授权频谱，通过其所持有的授权频谱就能在其LTE网络实现上述速率。
AT&T的John Donovan表示，该运营商将利用各种技术，将其LTE网络速度提升到1 Gbps，包括4*4和8*8 MIMO、265 QAM以及载波聚合等。
他还表示，AT&T将需要使用未授权频
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AT&T LTE
- 储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。
目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NANDFlash市场投下新变数。
稍早三星和美光也都
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Flash 晶圆
- 由于单部仪器上的触发响应通道有限，或因为需要混合信号的触发响应信道，因此许多测试与测量应用，将需要对多部仪器进行时间控制与同步化
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T-Clock技术PXI同步测
- SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
SK海力士表示，公司决定额外的新建一座Fab工厂，主要是为了确保能够满足NAND Flash市场需求的增长，以及引导向3D NAND发展。加之，考虑到通常建立一个半导体工厂需要超过2年，所以提前做好准备。
SK海力士曾在20
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NAND Flash SK海力士
- 尽管5G技术标准仍在制定中，但美国电信运营商AT&T近日宣布，已经推出了美国首例基于毫米波技术的5G商业客户试验服务。
AT&T表示，英特尔成为首例5G试验服务的客户。据悉，英特尔位于得克萨斯州奥斯汀的办公楼将会率先使用5G服务。AT&T为该场所提供了G级的带宽。双方将同时测试互联网接入、VPN、统一通信应用、4K视频流等服务。据悉，该试验还将展示15GHz和28GHz频段5G VoIP的表现。这两家公司称，届时的传输速率最高可达14.4Gbps。
5G已成为各通信
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AT&T 5G
- 芯片贴板后跑不起来?Flash里面的数据在使用过程中莫名改变或不翼而飞?程序丢失可能无法正常运行，从而造成整个系统崩溃，下面我们来看看是什么原因让数据异常变化。
1、用户代码对Flash的误操作不当引起程序丢失或被错误改写 例如，在有对Flash写入或擦除操作的代码中，如果用户误调用了写入或擦除函数或者由于程序跑飞而恰好执行了Flash擦除或写入函数，这自然会导致数据丢失或改变。针对以上情况，可以在程序中设置多个允许操作的变量，当执行写入或擦除操作时，对
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Flash 芯片
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