恩智浦半导体（NXP Semiconductors）发布了全新的小信号MOSFET器件系列，新产品采用了全球最小封装之一的SOT883进行封装。恩智浦SOT883 MOSFET面积超小，仅为1.0 x 0.6毫米，与SOT23相比，功耗和性能不相上下，却只需占据14%的印刷电路板空间。SOT883 MOSFET针对众多应用而设计，包括DC/DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。SOT883 MOSFET具有超小的面积、0.5毫米的超薄厚度、最佳的开关速度和非常低的Rds(on)
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MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
MOSFET共有三个脚，一般为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。功率MO
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MOSFET
我们如何才能使汽车驾驶室具备更多的功能，使发动机具有更大的功率，同时还能够符合各国政府对每加仑行驶距离的要求?只有采用新一代的低导通电阻功率 MOSFET将汽车中传统的电力系统和液压系统改为电子系统，这些MOSFET不但可以提高汽车的舒适性和安全性，还能够提高燃油的行驶距离。
发动机不仅仅要让汽车在路上行驶，还要为整个汽车系统提供动力。现在人们对汽车的娱乐性、舒适性及安全性的要求越来越高。通过深入分析发现，对于一辆普通的汽车，每加仑的汽油所产生的能量最终用在车轮行驶上的不到15%，而大部分的能量
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MOSFET 油耗
一个采用directfet mosfet并基于四相同步整流器的vrm能够于高达2mhz/相位下工作，并提供120a电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。
与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率mosfet技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点(pol)电源应用的决定性因素。对于工作电压为1v或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率mosfet能
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MOSFET POL 电源 放大器
Maxim推出MAX8833/MAX8855，该系列器件是业界第一款具有以下功能的降压型调节器：工作在3.3V或2.5V输入下，分别可提供双路3A或双路5A输出，并且内置开关可最大程度节省空间。除了节省空间外，器件由于采用内部MOSFET，因此可有效地工作在低输入电压下，这是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能实现的。在低压应用中，分立的竞争方案需要更高电压实现完全导通，相比较而言，内部MOSFET则可提供更优异的性能。MAX8833/MAX8855分别具有49mΩ和37mΩ低导通阻抗，可以以超过1M
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Maxim 调节器 MOSFET 其他IC 制程
l 前言
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(DSP
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IGBT MOSFET 场效应晶体管 电源
全球能源需求的不断增长以及环境保护意识的逐步提升使得高效、节能产品成为市场发展的新趋势。为此，电源|稳压器管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多的应用到整机产品中。在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下，中国功率器件市场在2007-2011年将继续保持快速增长，但由于市场基数的不断扩大，市场增长率将逐年下降。预计到2011年时中国功率器件市场销售额将达到1680.4亿元，2007-2011年中国功率器件市场年均复合增长率为19.1%。这其中电源管理IC、MOSFE
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模拟技术 电源技术 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。
一、电力场效应管的结构和工作原理
电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时
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MOSFET 半导体材料
功率半导体器件的应用迄今已有50年历史，自上世纪80年代以来，随着新型功率半导体器件尤其是电源管理芯片的蓬勃发展，功率器件极大地拓展了应用领域。全球各大厂商也不失时机地加大研发力度，占领市场高地。
发展功率半导体产业迫在眉睫
目前，我国功率半导体企业生产条件和产品大都停留在国外上世纪70年代的水平。有个别集成电路企业制造一些小电流低档老产品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢复和超快恢复二极管完全不能制造。因此，我国市场用的功率器件约90%依赖进口，其余约10%低档产品是自己制造的。
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模拟技术 电源技术 功率 半导体 VD-MOSFET 模拟IC 电源
引 言
功率场效应管MOSFET是一种单极型电压控制器件，它不但具有自关断能力，而且具有驱动功率小，关断速度快等优点，是目前开关电源中常用的开关器件。采用MOSFET 控制的开关电源具有体积小、重量轻、效率高、成本低的优势，因此，较适合作仪器电源。本文给出了一种由MOSFET 控制的大范围连续可调(0～45V) 的小功率稳压电源设计实例。
总体结构与主电路
图1 为该电源的总体结构框图。工作原理如下：
图1 原理方框图
全桥整流电路将电网电压220V
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消费电子 MOSFET 功率场效应管 PWM 电源
随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时
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MOSFET 元件 制造
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444，该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。这个驱动器可与功率 MOSFET 以及凌力尔特公司的很多 DC/DC 控制器一起组成完整的高效率同步转换器。 这个强大的驱动器可采用 1.2Ω 的下
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嵌入式系统 单片机 凌力尔特 MOSFET LTC4444 模拟IC
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4442/-1，该器件用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这种驱动器与凌力尔特公司很多 DC/DC 控制器组合使用时，可组成完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
这个强大的驱动器可以吸收高达
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模拟技术 电源技术 凌力尔特 MOSFET 驱动器 模拟IC
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