i 文章 进入i技术社区
“I”型三电平逆变器开关管不均压研究
- 为解决“I”型三电平逆变拓扑中内、外开关管的不均压问题,在逆变拓扑开关管的控制方式及硬件电路上提出了优化的方案。开关管发波控制中,在原有的时序控制中加入开机和关机的时序逻辑,开机时保证内管先于外管开通,关机时保证外管先于内管关断,避免内、外管承受电压不一致的情况。在硬件电路中,对内管增加阻容网络,消除了内、外管同时关断时由于其寄生参数不一致而导致的内、外管承受电压不一致的现象。实验结果表明,该方法可以彻底解决“I”型三电平拓扑中内、外管承受电压不一致的问题。
- 关键字: “I”型三电平 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 内、外管 不均压 201607
i介绍
您好,目前还没有人创建词条i!
欢迎您创建该词条,阐述对i的理解,并与今后在此搜索i的朋友们分享。 创建词条
欢迎您创建该词条,阐述对i的理解,并与今后在此搜索i的朋友们分享。 创建词条
热门主题
SII
International
Andigilog
PDIUSBD12
mClinux
National
magnachip
FPSLIC
FSI
Casio
MIDI
LSI逻辑
CPCI总线
ISD
Chipworks
SINOCES
Vativ
ICS
Microsystems
Design
Automation
UNI-I
CI
MIPS处理器
Driver
Devices公司
MicroSystems)
Infiniband
RadioScape
Summit
Chipcon
Applied
DirectDrive
IRIS
IFA
Teridian
Trident
Analogic
Octasic
ARRIS
microSD
Nexperia
SILABS
CIO
LAIRD
Melexis
Sipex
ARINC
CIDEX
ICChina
Architecture
Serial
communications
IP内核
CPRI
Basic
STiMi
Linux平台
SRIO
IGLOO
树莓派
linux