- 一辆新能源汽车、一组高能效服务器电源，核心功能的实现都离不开电力电子系统中半导体器件的支撑。碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的典型代表，具有低能耗、体积小、重量轻等特点，国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。近日，记者在区内企业世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）了解到，其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产，研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域，实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
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第三代半导体 碳化硅 世纪金光
- 近日，随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS（微机电系统）微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火，在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。
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MEMS 碳化硅 微推力器阵列
- 日前，第三届中欧第三代半导体高峰论坛在深圳举行。与会专家学者认为，第三代半导体未来应用潜力巨大，具备变革性的突破力量，是半导体以及下游电力电子、通讯等行业新一轮变革的突破口。 2018年，美国、欧盟等持续加大第三代半导体领域研发支持力度，国际厂商积极、务实推进，商业化的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）电力电子器件新品不断推出，性能日益提升，应用逐渐广泛。受益于整个半导体行业宏观政策利好、资本市场追捧、地方积极推进、企业广泛进入等积极因素，国内第三代半导体产业稳步发展。但是，在材料指标、器件性能等方
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- 最近，由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办，深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会，围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流，加速第三代半导体材料国产化替代进程，助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
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碳化硅 二极管 MOSFET
- 在功率电子学中，半导体基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率会高得多。巴塞尔大学的物理学家，Paul Scherrer研究所和ABB在科学期刊“应用物理快报”中解释了阻止硅和碳结合使用的原因。能源消耗在全球范围内不断增长，风能和太阳能等可持续能源供应变得越来越重要。然而，电力通常远离消费者产生。因此，高效的配电和运输系统与将产生的直流电转换成交流电的变电站和电力转换器同样重要。节省大笔开支现代电力电子设备必须能够处理大电流和高电压。目前用于场效应晶体管的半导体材料制成的晶体管现在主要基于硅技术。然而，在硅上使
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碳化硅
- 1999年从摩托罗拉半导体部剥离时，安森美只是一家年营业额12亿美元的标准半导体供应商，2018年已达到年营收近60亿美元，转型成为领先的高能效创新的半导体方案供应商。过去的20年，是半导体技术飞跃发展的20年，也是并购重组频繁的20年，很多中小公司在并购浪潮中淹没了，而安森美却逐渐壮大，形成了自己的特色和稳定的市场。安森美的成功经验是什么？如今的特色和对未来的观察是什么？近日，安森美半导体战略、营销及方案工程高级副总裁David Somo和中国区销售副总裁谢鸿裕接受了电子产品世界等媒体的采访。1 靠创新
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- 华为出资7亿元全资控股，刚刚于今年4月23日成立的哈勃科技投资有限公司近日出手，投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股达10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。
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- 中国北京，2019年7月16日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID今日宣布，公司将在7月17日 – 20日于北京举行的“第二届亚太碳化硅及相关材料国际会议”上，发表题为“一种用于工业和汽车级碳化硅MOSFET功率模块的高温栅极驱动器”的论文，并介绍公司在该领域的最新研究开发成果。CISSOID首席技术官Pierre Delatte将于19日在该会议上发表该文章。当今，碳化硅（SiC）在汽车制造商的大力追捧下方兴未艾，碳化硅技术可以提供更高的能效和增加功率密度；在工业应用方面，越来越多的人则
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- 此次产能扩大，将带来SiC（碳化硅）晶圆制造产能的30倍增长和SiC（碳化硅）材料生产的30倍增长，以满足2024年之前的预期市场增长
5年的投资，充分利用现有的建筑设施North Fab，并整新200mm设备，建造采用最先进技术的满足汽车认证的生产工厂
投资：4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料超级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入
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- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
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- 据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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- 在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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- 11月4-7日，由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商，重磅推出碳化硅MOSFET产品，反响热烈。 作为全球性的电力电子行业盛会，IEEE PEAC
2018可谓大咖云集，来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词，美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授，中国工程院院
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- 10月31日-11月2日，第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区，展示公司自主研发的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。 中国电子展是电子行业的年度盛会，集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业，倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化，电子技术促进产业升级”为主题，共有40000余名买家和专业观众观展，共同打造了一场电子行业年度盛会。
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- 11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。 出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum
Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，
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碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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