全球存储器产业恐将再爆震撼弹，面对三星电子(SamsungElectronics)和SK海力士在eMCP市场抢尽风头，东芝(Toshiba)为取得稳定的DRAM货源将大举反攻，业界传出其向南亚科提出10亿美元的策略联盟投资案，将再度开启台、日存储器结盟新里程碑，合作案是否会成局，2015年第1季底前可望确定。不过，南亚科未证实该项消息。
全球存储器产业甫经历大洗牌，全球三大DRAM厂版图底定，由于三星、SK海力士、美光(Micron)均拥有PCDRAM、MobileRAM及NANDFlash三大
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随三星宣布20奈米制程正式产出LPDDR 4 DRAM，SK海力士及华亚科(3474)也预定第2季导入20奈米量产，让今年DRAM产业主流技术，将正式推进至20奈米世代。
不过，20奈米需要投入庞大的资本支出，各DRAM考量必须在获利的基础上进行扩充，也让今年各家20奈米制程推进趋于缓慢。集邦科技出具今年DRAM产业趋势报告，预告今年DRAM产业持续维持寡占格局，支持DRAM持稳不坠，今年各家DRAM厂仍处于全面获利的一年。
集邦预估，今年DARM产值达541亿元，年增16%。
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东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。
据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代记忆体STT-MRAM。2014年3月因记忆体半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。
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苹果(Apple)预计2015年推出的新一代iPhone和iPad，传出搭载的DRAM容量将较目前产品倍增，占苹果DRAM供应量7成以上比重的三星电子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)也可望扩大供货量。
据南韩经济日报报导，在Mobile DRAM市场上，三星和SK海力士的市占率约达75%。近来使用智能型手机的人口增加，穿戴式装置市场也逐渐扩大，让DRAM需求扶摇直上。
据南韩证券业者推估，三星和SK海力士2014年DRAM事业获利各约6兆韩元(约5
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TrendForce 旗下记忆体储存事业处 DRAMeXchange 最新调查显示，全球行动式记忆体总营收在 2014年第三季达34.6亿美元，季成长6%，占DRAM总产值29%。三星半导体(Samsung)不意外仍稳居第三季行动式记忆体龙头，而且市占首度突破50%，俨然成为一方霸主，让位居二、三名的SK海力士(Hynix)与美光(Micron)的市占率差距再度拉大。
虽全球DRAM产能依旧处于微幅吃紧状态，导致第三季行动式记忆体价格小幅度下滑，但因位元产出增加，全球行动式记忆体总产值仍向上提升
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三星、SK海力士及美光三大DRAM厂明年制程进入20纳米世代，尽管市场忧心恐造成供给大增、压抑价格走势，但DRAM业者强调，制程微缩并非一、两天可以完成，期间将遭遇技术瓶颈与整量产能缩减等问题，因此尽管资本支出庞大，明年DRAM价格仍可望持稳，业者仍会稳定获利。
集邦协理吴雅婷表示，三星及SK海力士在制程推进至25纳米期间，都吃足苦头，预料美光借重华亚科从30纳米制程直接切入20纳米制程，同样也将面临极大的挑战。三星首次进入28纳米制程时，因良率无法有效提升，黯然宣告中止，部分产能转回35纳米，
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随着DRAM三大阵营的确立，今年DRAM各大阵营的获利与营收，都可说是连连报捷，这也使得在先进制程的投入也更加积极。但是否又会再次面临价格下跌的压力?答案似乎是有可能的。
根据TrendForce表示，今年以来DRAM市场一直呈现供货吃紧、价格持续走扬的市况来规划未来需求，DRAM厂纷纷决定自2014年第四季开始增加产能。按照DRAM厂现有的规划，2015年制程微缩与新增产能贡献产出年增率将逼近30%，现有的DRAM产业的寡占架构将面临重大挑战，若明年总体经济状况不如预期，此举恐怕导致DRA
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三星电子和SK海力士在今年第2季共占有全球DRAM市场份额68%，遥遥领先美国企业占有的25.7%，和台湾业者的6.3%。
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2014年上半SK海力士(SKHynix)业绩告捷，在次世代存储器技术竞争中也占据优势，未来可望带动版图变化。
SK海力士的次世代存储器获全球系统芯片业者搭载在2016年以后上市产品，并进行性能测试，未来将有机会超越三星电子(SamsungElectronics)和美国美光(Micron)等竞争对手，在市场竞争中也将居优势。
据韩国每日经济报导，SK海力士的次世代超高速存储器(HBM)将优先供应给AMD、NVIDIA等全球性系统芯片业者，搭载于次世代产品中进行测试。
SK
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SK海力士(SK Hynix)表示，其竞争对手东芝(Toshiba)正寻求1,091.5亿日圆(约合10.8亿美元)的损害赔偿金，因东芝于2014年初时提出一项诉讼，宣称SK海力士非法取得一项快闪记忆体芯片技术。
据华尔街日报(WSJ)报导，全球第二大记忆体芯片制造商的SK海力士最新公布东芝所要求的损害赔偿金额，并表示将对东芝的指控进行反驳。
不过，SK海力士发言人拒绝透露更多细节;而东芝方面则表示不确定上述损害赔偿金额是否正确。
放大因涉及非法取得竞争对手东芝关键的记忆
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去年海力士的一场大火并没有给年底财报抹黑，反而因为供求关系的因素，存储产品价格上涨，让海力士的财报看起来还是相当美观的。今年海力士也做出了新的战略布局，不再局限于存储业务，希望将饼摊大，获得更多的收入来源，扩展的第一步就瞄准了电源管理IC。
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全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示，2013年第四季DRAM产出虽受到SK海力士(Hynix)无锡厂大火影响而有略减，但因供货吃紧反而造成平均销售单价劲扬，因此当季全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美元，较上一季成长近5%。同时，前两大DRAM供应商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型记忆体的供给多寡。
TrendForce研究协理吴雅婷表示，就2013年第四季合约价格走势做观察，由于9月SK海力士受祝融波及而
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9月4日，SK海力士无锡工厂发生大火，暂时关闭并停止生产。由于无锡工厂占SK海力士总产量一半，SK海力士又是全球第二大DRAM制造商，因此，这场大火造成全球芯片价格大幅上涨，创出两年来新高;有业内人士表示，智能手机和计算机厂商成本的提高或将进一步推高电子类产品价格的上涨。
DRAM芯片价已大涨42%
公开资料显示，SK海力士是全球第二大DRAM芯片制造商，全球DRAM市场占有率达到24.6%，仅次于三星的50%，无锡工厂的产量占到了SK海力士总产量的一半。
9月4日，SK海力士无锡工
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北京时间9月24日晚间消息，在SK海力士无锡工厂本月发生火灾后，DRAM存储芯片的价格已大幅上涨42%，这意味着智能手机和计算机厂商正面临更高的元件成本。
根据亚洲最大DRAM存储芯片市场DRAMeXchange的数据，2GBDDR3DRAM芯片的价格周一上涨至2.27美元，而9月4日SK海力士无锡工厂发生火灾时为1.60美元。SK海力士预计，受火灾影响的生产线将于下月恢复生产。
SK海力士是全球第二大存储芯片提供商，客户包括苹果(489.1,-1.54,-0.31%)公司、戴尔(
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根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示，第二季智能型手机出货季成长约7%，总出货来到约两亿两千余万支(222.7M)，加上为后续旺季来临前所作的备货准备，行动式内存的总营收已逼近30亿美元，季增约11%，占总体DRAM营收的34%。
综观各家DRAM厂在行动式内存领域的市占排名，其中季成长最为显著的为排名第二的SK海力士，营收与上季相较成长超越30%，其主因受惠中国市场手机出货需求强劲及一线手机厂持续下单，市占较上季成长4%来到25.7%。后
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